Testauspalvelut

Näytteen kuvaaminen pyyhkäisyelektronimikroskoopilla (SEM) ja alkuainekoostumuksen määritys energiadispersiivisellä röntgenspektroskopialla (EDX, EDS). Tyypillisesti näytteestä otetaan useita kuvia eri suurennoksilla edustavan otoksen saamiseksi. Tuloksena saadaan myös …

XRF on kvantitatiivinen ja kvalitatiivinen analyysimenetelmä, jota voidaan käyttää nesteiden ja kiinteiden aineiden alkuaineanalyysin tekemiseen. Tämä metodi soveltuu näytteille, jotka eivät vaadi …

Tof-ERDA-mittaus soveltuu kiinteiden näytemateriaalien alkuainekoostumuksen kvantitatiiviseen määritykseen ja syvyysprofilointiin. ToF-ERDA havaitsee kaikki alkuaineet ja vedyn eri isotoopit. Menetelmää käytetään erityisesti kevyiden …

Näytteen kuvantaminen pyyhkäisyelektronimikroskoopilla (SEM). Näytteestä otetaan yleensä useita kuvia eri suurennoksilla edustavan otoksen saamiseksi. Sähköä johtamattomat näytteet voidaan valmistella analyysiä varten päällystämällä ne ohuella metallikerroksella. Näytteestä …

Röntgenheijastuvuuden mittaus eli XRR-analyysi, jolla voidaan määrittää kalvon tiheys, paksuus ja karheus. Paksuusmittauksissa paksuuden tulisi lähtökohtaisesti olla alle 300 nm (materiaalista riippuen) ja karheuden matala (<5 nm). Jos tarvitset lisätietoja …

Analyysissa näytteen pinnankarheus (RMS) määritetään atomivoimamikroskoopilla (AFM). Hintaan kuuluu mittaus kolmesta pisteestä. Mittausalueena käytetään 5 x 5 mikrometriä, ellei toisin sovita. Testiraportti sisältää RMS-arvon lisäksi 2D kuvan, 3D …

Ohutkalvonäytteiden analysoiminen röntgendiffraktion (GI-XRD) avulla.

Ohutkalvonäytteiden röntgendiffraktio (GI-XRD) + röntgenheijastavuus (XRR). Tuloksena saadaan kalvojen tiheys (g/cm³), paksuus (nm) ja karheus (nm). XRR-paksuusmittausta varten kalvon paksuuden tulisi olla alle 100 nm ja ainakin yhtä suuruusluokkaa …

VPD ICP-MS-menetelmällä voidaan havaita häviävän pienet metalliset epäpuhtaudet piikiekkojen ja ohutkalvojen pinnoilta. Analyysi perustuu näytteen pintakerroksen (~2 nm) liuottamiseen, jonka jälkeen metallien pitoisuudet mitataan liuoksesta. Perusanalyysi sisältää seuraavien …

Näytteen kuvaaminen läpäisyelektronimikroskoopilla (TEM) ja alkuainekoostumuksen määritys energiadispersiivisellä röntgenspektroskopialla (EDX tai EDS). Tyypillisessä analyysissä näytteestä otetaan useita kuvia eri suurennoksilla edustavan otoksen saamiseksi. Lisäksi …

Ellipsometria on optinen tekniikka, jolla karakterisoidaan polarisoituneen valon heijastumista näytteen pinnasta. Menetelmällä voidaan määrittää näytteen taitekerroin tai paksuus. Ellipsometriaa käytetään ohutkalvojen ja perusmateriaalien karakterisointiin. Näyte voi olla yksi- …

Näytteen kuvaaminen läpäisyelektronimikroskoopilla (TEM). Tyypillisesti näytteestä otetaan useita kuvia eri suurennoksilla edustavan otoksen saamiseksi. TEM:in resoluutio on nanometrin luokkaa. TEM-kuvantaminen edellyttää usein esikäsittelyä FIB-menetelmällä. Käsittely …

XPS on semikvantitatiivinen tekniikka, joka mahdollistaa materiaalien pinnan alkuainekoostumuksen määrityksen. Lisäksi menetelmällä voidaan määrittää atomien sitoutumis- ja elektronitilat. XPS on pintaherkkä tekniikka. Tyypillinen tutkimussyvyys on 3-10 nm ja havaitsemisrajat noin …

Metallisten alkuaineiden jäämien määritys piikiekon päällä olevasta ohutkalvosta. Määrityksessä voidaan hyödyntää eri menetelmiä näytteen ominaisuuksista riippuen. Kysy lisätietoja mittauksen soveltuvuudesta näytteellesi menetelmän asiantuntijalta.

Sekundääri-ionimassaspektrometria (SIMS) soveltuu erityyppisten kiinteiden materiaalien syvyysprofilointiin.SIMS tunnistaa kaikki alkuaineet, joiden massa on vedyn ja uraanin välissä. Matalan määritysrajan ansiosta menetelmä sopii jopa …

XPS-syvyysprofiilointi vuorottelee etsausjaksojen ja XPS-analyysijaksojen välillä. Menetelmä antaa semikvantitatiivista tietoa alkuainekoostumuksesta (at. %) syvyyden funktiona. Atomien sitoutumis- ja elektronitilat voidaan myös määrittää syvyyden funktiona. Kyseessä …

TXRF-menetelmällä voidaan määrittää näytteen pinnan alkuainekoostumus. Mittausta käytetään usein häviävän pienten epäpuhtauksien tunnistamiseen eri puolilta ohutkalvoa tai piikiekkoa. Määritysraja: 109 – 1011 at/cm2 Syvyysresoluutio: n. 3-9 nm (materiaalista riippuen)

XPS on pintaherkkä tekniikka, jolla voidaan määrittää näytteen alkuainekoostumus ja alkuaineiden kemialliset sidostilat. Mittaussyvyys on tyypillisesti 3-10 nm ja määritysraja 0.1-1 atomiprosenttia. XPS …

Analyysin aikana näytteen pinta kuvannetaan atomivoimamikroskoopilla (AFM). Tyypillisesti näytteestä otetaan topologisia kuvia useasta eri kohdasta. Mittausalue on 5 x 5 mikrometriä, ellei toisin sovita.

Naarmuuntumistesti (nano scratch) ohutkalvonäytteille. Tyypillinen mittaus sisältää valokuvan naarmuuntumisjäljestä sekä critical load -arvojen määrityksen.

HRMS eli korkean resoluution massaspektrometria on yhdisteiden molekyylimassan määrittämiseen käytetty analyysitekniikka. Tarkkuutensa ansiosta HRMS-mittaus soveltuu erinomaisesti niin pienten orgaanisten molekyylien kuin suurten makromolekyylien rakenteen tunnistamiseen. …

Näytteen sisäisten rakenteiden 3D-kuvantaminen mikrotietokonetomografialla (mikro-CT), joka ei vahingoita näytettä. Menetelmällä saadaan tietoa kiinteiden rakenteiden tiheydestä, sisäisistä halkeamista, tyhjiöistä ja faasijakaumista. Analyysi soveltuu parhaiten jauhemaisille …

Näytteen valmistelu elektronimikroskopiaa varten kohdennetulla ionisuihkulla (FIB, Focused Ion Beam). Menetelmä on eritäin tarkka, ja sillä voidaan valmistaa hyvin ohuita näytekappaleita SEM- tai TEM-kuvantamista varten. Hintaan kuuluu vain …

Pinnan karheuden tai reunan terävyyden määritys optisella profilometrillä.

Partikkelikokojakauma määritetään läpäisyelektronimikroskoopilla (TEM) otetuista kuvista. Menetelmä soveltuu parhaiten alle 50 nm kokoisille hiukkasille. Hiukkasten muodosta riippuen analyysi sisältää joko halkaisijan tai pituuksien ja …

Alkuainesuhteiden määritys RBS-menetelmällä (Rutherfordin takaisinsirontaspektrometria). Mittaus soveltuu syvyysprofilointiin. RBS antaa tietoa raskaampien alkuaineiden pitoisuuksista. Kevyistä alkuaineista saadaan tietoa, jos menetelmä yhdistetään …

RBS-menetelmällä (Rutherfordin takaisinsirontaspektrometria) voidaan määrittää kiinteän näytteen alkuainekoostumus. Mittaus soveltuu myös syvyysprofilointiin. RBS-mittausta käytetään raskaiden alkuaineiden pitoisuusmäärityksiin. Jos myös kevyempien …

Boorin (B) ja fosforin (P) akkreditoitu määritys BPSG-kiekoista.

GD-OES (eng. Glow Discharge-Optical Emission Spectroscopy) on kvantitatiivinen analyysitekniikka, jolla voidaan määrittää näytteen alkuainekoostumus syvyyden funktiona. Mittausta käytetään ensisijaisesti paksujen materiaalien syvyysprofilointiin. Näytteet ovat tyypillisesti …

Metallipitoisuuksien määritys LA-ICP-MS-tekniikalla. Mittaus sisältää seuraavien alkuaineiden määrityksen: Ag, Al, As, Au, B, Ba, Be, Bi, Br, Ca, Cd, Ce, Co, Cr, Cs, Cu, Dy, Er, Eu Fe, Ga, Gd, Ge, Hf, Hg, Ho, I, In, Ir, K, La, …

Metallipitoisuuksien määritys LA-ICP-MS-tekniikalla. Standardianalyysi sisältää seuraavien alkuaineiden määrityksen: Ca, Cr, Cu, Co, Er, Fe, Ge, Pb, Mn, Mo, Ni, K, Na, Sn, Ti, Ta, Zn, Bi, Au, Sn, V, Sr ja Y. Tulokset …

Ryhmäviiveen dispersion (GDD, group delay dispersion) ja ryhmänopeuden dispersion (GVD, group velocity dispersion) määritys optisesta materiaalista valkoisen valon interferometrillä.

Metallipitoisuuden määritys LA-ICP-MS-tekniikalla. Mittaus sisältää yhden alkuaineen määrityksen. Tulokset ilmoitetaan yksikössä ppm (µg / g).

Materiaalien magneettisten ominaisuuksien määritys magneettikentän funktiona. Mittaukseen käytetään värähtelevän näytteen magnetometriä (vibrating-sample magnetometer, VSM), jota kutsutaan myös Foner-magnetometriksi. Mittaus perustuu Faradayn …

IEC EN 60243-1 -standardin mukainen muovin läpilyöntilujuuden määritys, jonka aikana näytelevy altistetaan asteittan kasvavalle jännitteelle kahden elektrodin välillä. Jännitettä, jossa …

ATD-GC-MS (kaasukromatografia-massaspektrometria ATD-keräimellä) on hyvin herkkä analyysimenetelmä piikiekkojen pinnalta löytyvien orgaanisten vierasaineiden analysointiin. …

ToF-ERDA-mittauksella voidaan määrittää kiinteän näytteen alkuaineprofiili kvantitatiivisesti. Menetelmä soveltuu syvyysprofilointiin. ToF-ERDA havaitsee kaikki alkuaineet ja soveltuu erityisen hyvin kevyiden alkuaineiden …

Näytettä vahingoittamaton mittaus, jossa noin pikosekunnin mittainen ultraäänipulssi läpäisee ohutkalvon tai nanorakenteen ja antaa tietoa mm. kalvon paksuudesta, halkeamista ja delaminoitumisesta.