Testauspalvelut

Pintojen kuvaaminen pyyhkäisyelektronimikroskoopilla (SEM) ja energiadispersiivisellä röntgenspektroskopialla (EDX, EDS). Tyypillisesti näytteestä otetaan useita kuvia eri suurennoksilla edustavan otoksen saamiseksi. Lue lisää

Ohutkalvonäytteiden Tof-ERDA mittaus soveltuu alkuainekoostumuksen määritykseen ja syvyysprofilointiin. Menetelmällä voidaan havaita kaikki alkuaineet ja vedyn eri isotoopit. Lue lisää

Röntgenheijastuvuuden mittaus eli XRR-analyysi ohutkalvonäytteille. Tuloksena saadaan arvot kalvon tiheydelle (g/cm³), paksuudelle (nm) sekä karheudelle (nm). Jos kalvon paksuus halutaan määrittää, tulee paksuuden olla < 100 nm ja vähintään yhden suuruusluokan … Lue lisää

Ohutkalvonäytteiden analysoiminen röntgendiffraktion (GI-XRD) avulla. Lue lisää

Analyysissa näytteen pinnankarheus (RMS) määritetään atomivoimamikroskoopilla (AFM). Hintaan kuuluu mittaus kolmesta pisteestä. Mittausalueena käytetään 5 x 5 mikrometriä, ellei toisin sovita. Testiraportti sisältää RMS-arvon lisäksi 2D kuvan, 3D … Lue lisää

Poikkileikkeen korkean resoluution TEM-EDX-kuvaus FIB-näytteenvalmistelulla koostuu seuraavista vaiheista: Näytteestä valmistellaan poikkileike kohdennetun ionisuihkun (FIB) avulla. , Poikkileike kuvataan korkean resoluution … Lue lisää

Poikkileikkeiden kuvaaminen korkearesoluutioisella läpäisyelektronimikroskoopilla (HR-TEM). Näyte valmistetaan kohdennetulla ionisuihkulla (FIB). Tuloksena saadaan hyvin tarkkoja … Lue lisää

Näytteen kuvaaminen läpivalaisuelektronimikroskoopilla (TEM). Tyypillisesti näytteestä otetaan useita kuvia eri suurennoksilla edustavan otoksen saamiseksi. Lue lisää

XPS-syvyysprofiilointi vuorottelee etsausjaksojen ja XPS-analyysijaksojen välillä. Menetelmä antaa semikvantitatiivista tietoa alkuainekoostumuksesta (at. %) syvyyden funktiona. Atomien sitoutumis- ja elektronitilat voidaan myös määrittää syvyyden funktiona. Kyseessä … Lue lisää

XPS on semikvantitatiivinen tekniikka, joka mahdollistaa materiaalien pinnan alkuainekoostumuksen määrityksen. Lisäksi menetelmällä voidaan määrittää atomien sitoutumis- ja elektronitilat. XPS on pintaherkkä tekniikka. Tyypillinen tutkimussyvyys on 3-10 nm ja havaitsemisrajat noin … Lue lisää

Näytteen kuvaaminen läpivalaisuelektronimikroskoopilla (TEM). Lisäksi näytteen alkuainekoostumus tunnistetaan energiadispersiivisellä röntgenspektroskopialla (EDX). Tyypillisesti näytteestä otetaan useita kuvia eri suurennoksilla edustavan otoksen saamiseksi. Lue lisää

Ellipsometria on optinen tekniikka, jolla karakterisoidaan polarisoituneen valon heijastumista näytteen pinnasta. Menetelmällä voidaan määrittää näytteen taitekerroin tai paksuus. Ellipsometriaa käytetään ohutkalvojen ja perusmateriaalien karakterisointiin. Näyte voi olla yksi- … Lue lisää

Analyysin aluksi poikkileikenäyte valmistellaan kohdennetulla ionisäteellä (Focused Ion Beam, FIB). Tämän jälkeen poikkileikkeen pinta kuvataan pyyhkäisyelektronimikroskoopilla (SEM). Lue lisää

Analyysin aikana näytteen pinta kuvannetaan atomivoimamikroskoopilla (AFM). Tyypillisesti näytteestä otetaan topologisia kuvia useasta eri kohdasta. Mittausalue on 5 x 5 mikrometriä, ellei toisin sovita. Lue lisää

Naarmuuntumistesti (nano scratch) ohutkalvonäytteille. Tyypillinen mittaus sisältää valokuvan naarmuuntumisjäljestä sekä critical load -arvojen määrityksen. Lue lisää

Poikkileikenäyte valmistellaan jäädytyslohkaisun avulla: ensin näyte jäädytetään nestetypessä (-195 C°), minkä jälkeen jäädytetty näyte halkaistaan kahtia. Murrettu poikkipinta kuvataan pyyhkäisyelektronimikroskoopilla (SEM). … Lue lisää

Alkuainesuhteiden määritys RBS-menetelmällä (Rutherfordin takaisinsirontaspektrometria). Menetelmällä voidaan määrittää myös syvyysprofiili näytteen pinnasta. RBS soveltuu mm. ohutkalvoille, pinnoitteille ja puolijohteille. Tämä tuote on RBS-mittaus … Lue lisää

Alkuainesuhteiden määritys RBS-menetelmällä (Rutherfordin takaisinsirontaspektrometria). Menetelmällä voidaan määrittää myös syvyysprofiili näytteen pinnasta. RBS soveltuu mm. ohutkalvoille, pinnoitteille ja puolijohteille. Tämä tuote on RBS-mittaus … Lue lisää

Sekundääri-ionimassaspektrometria (SIMS) soveltuu erityyppisten kiinteiden materiaalien syvyysprofilointiin.SIMS tunnistaa kaikki alkuaineet, joiden massa on vedyn ja uraanin välissä. Matalan määritysrajan ansiosta menetelmä sopii jopa … Lue lisää

VPD ICP-MS-menetelmällä voidaan havaita häviävän pienet metalliset epäpuhtaudet piikiekkojen ja ohutkalvojen pinnoilta. Analyysi perustuu näytteen pintakerroksen (~2 nm) liuottamiseen, jonka jälkeen metallien pitoisuudet mitataan liuoksesta. Perusanalyysi sisältää seuraavien … Lue lisää

XPS on pintaherkkä tekniikka, jolla voidaan määrittää näytteen alkuainekoostumus ja alkuaineiden kemialliset sidostilat. Mittaussyvyys on tyypillisesti 3-10 nm ja määritysraja 0.1-1 atomiprosenttia. XPS … Lue lisää

Boorin (B) ja fosforin (P) akkreditoitu määritys BPSG-kiekoista. Lue lisää

Metallipitoisuuksien määritys LA-ICP-MS-tekniikalla. Mittaus sisältää seuraavien alkuaineiden määrityksen: Ag, Al, As, Au, B, Ba, Be, Bi, Br, Ca, Cd, Ce, Co, Cr, Cs, Cu, Dy, Er, Eu Fe, Ga, Gd, Ge, Hf, Hg, Ho, I, In, Ir, K, La, Li, … Lue lisää

Pinnan karheuden tai reunan terävyyden määritys optisella profilometrillä. Lue lisää

Analyysiin sisältyy poikkileikkeen valmistelu BIB-tekniikalla, poikkileikkeen pinnan kuvantaminen pyyhkäisyelektronimikroskoopilla (SEM) ja alkuaineiden määritys EDX-tekniikalla. Poikkileikkeen leveys on noin 1 mm. Lue lisää

GD-OES (eng. Glow Discharge-Optical Emission Spectroscopy) on kvantitatiivinen analyysitekniikka, jolla voidaan määrittää näytteen alkuainekoostumus syvyyden funktiona. Mittausta käytetään ensisijaisesti paksujen materiaalien syvyysprofilointiin. Näytteet ovat tyypillisesti … Lue lisää

Metallipitoisuuksien määritys LA-ICP-MS-tekniikalla. Standardianalyysi sisältää seuraavien alkuaineiden määrityksen: Ca, Cr, Cu, Co, Er, Fe, Ge, Pb, Mn, Mo, Ni, K, Na, Sn, Ti, Ta, Zn, Bi, Au, Sn, V, Sr ja Y. Tulokset … Lue lisää

Metallipitoisuuden määritys LA-ICP-MS-tekniikalla. Mittaus sisältää yhden alkuaineen määrityksen. Tulokset ilmoitetaan yksikössä ppm (µg / g). Lue lisää

Materiaalien magneettisten ominaisuuksien määritys magneettikentän funktiona. Mittaukseen käytetään värähtelevän näytteen magnetometriä (vibrating-sample magnetometer, VSM), jota kutsutaan myös Foner-magnetometriksi. Mittaus perustuu Faradayn induktiolakiin, jonka mukaan … Lue lisää

Ohutkalvonäytteiden röntgendiffraktio (GI-XRD) + röntgenheijastavuus (XRR). Tuloksena saadaan kalvojen tiheys (g/cm³), paksuus (nm) ja karheus (nm). XRR-paksuusmittausta varten kalvon paksuuden tulisi olla alle 100 nm ja ainakin yhtä suuruusluokkaa … Lue lisää

TXRF-menetelmällä voidaan määrittää näytteen pinnan alkuainekoostumus. Mittausta käytetään usein häviävän pienten epäpuhtauksien tunnistamiseen eri puolilta ohutkalvoa tai piikiekkoa. Määritysraja: 109 – 1011 at/cm2 Syvyysresoluutio: n. 3-9 nm (materiaalista riippuen) Lue lisää

Näytettä vahingoittamaton mittaus, jossa noin pikosekunnin mittainen ultraäänipulssi läpäisee ohutkalvon tai nanorakenteen ja antaa tietoa mm. kalvon paksuudesta, halkeamista ja delaminoitumisesta. Lue lisää