Testauspalvelut
Tältä sivulta löydät valikoiman Measurlabsin suosituimpia testauspalveluita. Voit suodattaa testivalikoimaa toimialan tai materiaalin, testityypin ja mittauslaitteen mukaan. Otathan meihin yhteyttä, jos et löydä etsimääsi analyysiä.Heräsikö kysymyksiä? Autamme mielellämme.
Pintojen SEM-EDX kuvaus
Pintojen kuvaaminen pyyhkäisyelektronimikroskoopilla (SEM) ja energiadispersiivisellä röntgenspektroskopialla (EDX, EDS). Tyypillisesti näytteestä otetaan useita kuvia eri suurennoksilla edustavan otoksen saamiseksi. Lue lisää
ToF-ERDA-mittaus
Ohutkalvonäytteiden Tof-ERDA mittaus soveltuu alkuainekoostumuksen määritykseen ja syvyysprofilointiin. Menetelmällä voidaan havaita kaikki alkuaineet ja vedyn eri isotoopit. Lue lisää
XRR-mittaus ohutkalvoille
Röntgenheijastuvuuden mittaus eli XRR-analyysi ohutkalvonäytteille. Tuloksena saadaan arvot kalvon tiheydelle (g/cm3), paksuudelle (nm) sekä karheudelle (nm). Jos kalvon paksuus halutaan määrittää, tulee paksuuden olla < 100 nm ja vähintään yhden suuruusluokan … Lue lisää
Ohutkalvonäytteiden GI-XRD
Ohutkalvonäytteiden analysoiminen röntgendiffraktion (GI-XRD) avulla. Lue lisää
AFM - pinnankarheuden määrittäminen
Analyysissa näytteen pinnankarheus (RMS) määritetään atomivoimamikroskoopilla (AFM). Hintaan kuuluu mittaus kolmesta pisteestä. Mittausalueena käytetään 5 x 5 mikrometriä, ellei toisin sovita. Testiraportti sisältää RMS-arvon lisäksi 2D kuvan, 3D … Lue lisää
Poikkileikkeen HR-TEM-kuvaus + EDX + FIB
Poikkileikkeen korkean resoluution TEM-EDX-kuvaus FIB-näytteenvalmistelulla koostuu seuraavista vaiheista: Näytteestä valmistellaan poikkileike kohdennetun ionisuihkun (FIB) avulla. , Poikkileike kuvataan korkean resoluution … Lue lisää
Poikkileikkeiden korkean resoluution TEM-kuvaus ja näytteen valmistus FIB:llä
Poikkileikkeiden kuvaaminen korkearesoluutioisella läpäisyelektronimikroskoopilla (HR-TEM). Näyte valmistetaan kohdennetulla ionisuihkulla (FIB). Tuloksena saadaan hyvin tarkkoja … Lue lisää
TEM-kuvantaminen
Näytteen kuvaaminen läpivalaisuelektronimikroskoopilla (TEM). Tyypillisesti näytteestä otetaan useita kuvia eri suurennoksilla edustavan otoksen saamiseksi. Lue lisää
XPS-syvyysprofilointi
XPS-syvyysprofiilointi vuorottelee etsausjaksojen ja XPS-analyysijaksojen välillä. Menetelmä antaa semikvantitatiivista tietoa alkuainekoostumuksesta (at. %) syvyyden funktiona. Atomien sitoutumis- ja elektronitilat voidaan myös määrittää syvyyden funktiona.
Kyseessä … Lue lisää
XPS-mittaus
XPS on semikvantitatiivinen tekniikka, joka mahdollistaa materiaalien pinnan alkuainekoostumuksen määrityksen. Lisäksi menetelmällä voidaan määrittää atomien sitoutumis- ja elektronitilat. XPS on pintaherkkä tekniikka. Tyypillinen tutkimussyvyys on 3-10 nm ja havaitsemisrajat noin … Lue lisää
TEM-kuvantaminen + EDX
Näytteen kuvaaminen läpivalaisuelektronimikroskoopilla (TEM). Lisäksi näytteen alkuainekoostumus tunnistetaan energiadispersiivisellä röntgenspektroskopialla (EDX). Tyypillisesti näytteestä otetaan useita kuvia eri suurennoksilla edustavan otoksen saamiseksi. Lue lisää
Ellipsometria
Ellipsometria on optinen tekniikka, jolla karakterisoidaan polarisoituneen valon heijastumista näytteen pinnasta. Menetelmällä voidaan määrittää näytteen taitekerroin tai paksuus. Ellipsometriaa käytetään ohutkalvojen ja perusmateriaalien karakterisointiin. Näyte voi olla yksi- … Lue lisää
Poikkileike-SEM kohdennetulla ionisäteellä (FIB)
Analyysin aluksi poikkileikenäyte valmistellaan kohdennetulla ionisäteellä (Focused Ion Beam, FIB). Tämän jälkeen poikkileikkeen pinta kuvataan pyyhkäisyelektronimikroskoopilla (SEM). Lue lisää
AFM-kuvantaminen sileille pinnoille
Analyysin aikana näytteen pinta kuvannetaan atomivoimamikroskoopilla (AFM). Tyypillisesti näytteestä otetaan topologisia kuvia useasta eri kohdasta. Mittausalue on 5 x 5 mikrometriä, ellei toisin sovita. Lue lisää
Naarmuuntumistesti (nano scratch) ohutkalvonäytteille
Naarmuuntumistesti (nano scratch) ohutkalvonäytteille. Tyypillinen mittaus sisältää valokuvan naarmuuntumisjäljestä sekä critical load -arvojen määrityksen. Lue lisää
Poikkileike-SEM jäädytyslohkaistusta näytteestä
Poikkileikenäyte valmistellaan jäädytyslohkaisun avulla: ensin näyte jäädytetään nestetypessä (-195 C°), minkä jälkeen jäädytetty näyte halkaistaan kahtia. Murrettu poikkipinta kuvataan pyyhkäisyelektronimikroskoopilla (SEM). … Lue lisää
RBS-mittaus (normaali toimitus)
Alkuainesuhteiden määritys RBS-menetelmällä (Rutherfordin takaisinsirontaspektrometria). Menetelmällä voidaan määrittää myös syvyysprofiili näytteen pinnasta. RBS soveltuu mm. ohutkalvoille, pinnoitteille ja puolijohteille. Tämä tuote on RBS-mittaus … Lue lisää
RBS-mittaus (pikatoimitus)
Alkuainesuhteiden määritys RBS-menetelmällä (Rutherfordin takaisinsirontaspektrometria). Menetelmällä voidaan määrittää myös syvyysprofiili näytteen pinnasta. RBS soveltuu mm. ohutkalvoille, pinnoitteille ja puolijohteille. Tämä tuote on RBS-mittaus … Lue lisää
Sekundäärinen ionimassaspektrometria (SIMS)
Sekundääri-ionimassaspektrometria (SIMS) soveltuu erityyppisten kiinteiden materiaalien syvyysprofilointiin.SIMS tunnistaa kaikki alkuaineet, joiden massa on vedyn ja uraanin välissä. Matalan määritysrajan ansiosta menetelmä sopii jopa … Lue lisää
VPD ICP-MS
VPD ICP-MS-menetelmällä voidaan havaita häviävän pienet metalliset epäpuhtaudet piikiekkojen ja ohutkalvojen pinnoilta. Analyysi perustuu näytteen pintakerroksen (~2 nm) liuottamiseen, jonka jälkeen metallien pitoisuudet mitataan liuoksesta. Perusanalyysi sisältää seuraavien … Lue lisää
XPS-spektrin piikkien dekonvoluutio - alkuaineiden sidostilat
XPS on pintaherkkä tekniikka, jolla voidaan määrittää näytteen alkuainekoostumus ja alkuaineiden kemialliset sidostilat. Mittaussyvyys on tyypillisesti 3-10 nm ja määritysraja 0.1-1 atomiprosenttia. XPS … Lue lisää
BPSG-analyysi
Boorin (B) ja fosforin (P) akkreditoitu määritys BPSG-kiekoista. Lue lisää
LA-ICP-MS ohutkalvonäytteille (70 alkuainetta)
Metallipitoisuuksien määritys LA-ICP-MS-tekniikalla. Mittaus sisältää seuraavien alkuaineiden määrityksen: Ag, Al, As, Au, B, Ba, Be, Bi, Br, Ca, Cd, Ce, Co, Cr, Cs, Cu, Dy, Er, Eu Fe, Ga, Gd, Ge, Hf, Hg, Ho, I, In, Ir, K, La, Li, … Lue lisää
Optinen profilometria
Pinnan karheuden tai reunan terävyyden määritys optisella profilometrillä. Lue lisää
Poikkileike-SEM-EDX leveällä ionisäteellä (BIB)
Analyysiin sisältyy poikkileikkeen valmistelu BIB-tekniikalla, poikkileikkeen pinnan kuvantaminen pyyhkäisyelektronimikroskoopilla (SEM) ja alkuaineiden määritys EDX-tekniikalla. Poikkileikkeen leveys on noin 1 mm. Lue lisää
GD-OES-mittaus
GD-OES (eng. Glow Discharge-Optical Emission Spectroscopy) on kvantitatiivinen analyysitekniikka, jolla voidaan määrittää näytteen alkuainekoostumus syvyyden funktiona. Mittausta käytetään ensisijaisesti paksujen materiaalien syvyysprofilointiin. Näytteet ovat tyypillisesti … Lue lisää
LA-ICP-MS ohutkalvonäytteille (standardialkuaineet)
Metallipitoisuuksien määritys LA-ICP-MS-tekniikalla. Standardianalyysi sisältää seuraavien alkuaineiden määrityksen: Ca, Cr, Cu, Co, Er, Fe, Ge, Pb, Mn, Mo, Ni, K, Na, Sn, Ti, Ta, Zn, Bi, Au, Sn, V, Sr ja Y. Tulokset … Lue lisää
LA-ICP-MS ohutkalvonäytteille (yksi alkuaine)
Metallipitoisuuden määritys LA-ICP-MS-tekniikalla. Mittaus sisältää yhden alkuaineen määrityksen. Tulokset ilmoitetaan yksikössä ppm (µg / g). Lue lisää
Magnetometria
Materiaalien magneettisten ominaisuuksien määritys magneettikentän funktiona.
Mittaukseen käytetään värähtelevän näytteen magnetometriä (vibrating-sample magnetometer, VSM), jota kutsutaan myös Foner-magnetometriksi. Mittaus perustuu Faradayn induktiolakiin, jonka mukaan … Lue lisää
Ohutkalvonäytteiden GI-XRD + XRR
Ohutkalvonäytteiden röntgendiffraktio (GI-XRD) + röntgenheijastavuus (XRR). Tuloksena saadaan kalvojen tiheys (g/cm3), paksuus (nm) ja karheus (nm). XRR-paksuusmittausta varten kalvon paksuuden tulisi olla alle 100 nm ja ainakin yhtä suuruusluokkaa … Lue lisää
TXRF-mittaus
TXRF-menetelmällä voidaan määrittää näytteen pinnan alkuainekoostumus. Mittausta käytetään usein häviävän pienten epäpuhtauksien tunnistamiseen eri puolilta ohutkalvoa tai piikiekkoa. Määritysraja: 109 – 1011 at/cm2 Syvyysresoluutio: n. 3-9 nm (materiaalista riippuen) Lue lisää
Ultraääneen perustuva ohutkalvoanalyysi
Näytettä vahingoittamaton mittaus, jossa noin pikosekunnin mittainen ultraäänipulssi läpäisee ohutkalvon tai nanorakenteen ja antaa tietoa mm. kalvon paksuudesta, halkeamista ja delaminoitumisesta. Lue lisää
Heräsikö kysymyksiä? Autamme mielellämme.
Ota yhteyttä
Ota yhteyttä alla olevalla lomakkeella, niin saat tarjouksen testauspalveluista yhdessä arkipäivässä.
Onko sinulla kysymyksiä tai tarvitsetko apua? Lähetä meille sähköpostia info@measurlabs.com tai soita +358 50 336 6128.