Testauspalvelut

Näytteen kuvaaminen pyyhkäisyelektronimikroskoopilla (SEM) ja alkuainekoostumuksen määritys energiadispersiivisellä röntgenspektroskopialla (EDX, EDS). Tyypillisesti näytteestä otetaan useita kuvia eri suurennoksilla edustavan otoksen saamiseksi. Tuloksena saadaan myös …

Tof-ERDA-mittaus soveltuu kiinteiden näytemateriaalien alkuainekoostumuksen kvantitatiiviseen määritykseen ja syvyysprofilointiin. ToF-ERDA havaitsee kaikki alkuaineet ja vedyn eri isotoopit. Menetelmää käytetään erityisesti kevyiden alkuaineiden analytiikassa, sillä se …

XRF on kvantitatiivinen ja kvalitatiivinen analyysimenetelmä, jota voidaan käyttää nesteiden ja kiinteiden aineiden alkuaineanalyysin tekemiseen. Tämä metodi soveltuu näytteille, jotka eivät vaadi …

Näytteen kuvantaminen pyyhkäisyelektronimikroskoopilla (SEM). Näytteestä otetaan yleensä useita kuvia eri suurennoksilla edustavan otoksen saamiseksi. Sähköä johtamattomat näytteet voidaan valmistella analyysiä varten päällystämällä ne ohuella metallikerroksella. Näytteestä …

Röntgenheijastuvuuden mittaus eli XRR-analyysi, jolla voidaan määrittää kalvon tiheys, paksuus ja karheus. Paksuusmittauksissa paksuuden tulisi lähtökohtaisesti olla alle 300 nm (materiaalista riippuen) ja karheuden matala (<5 nm). Jos tarvitset lisätietoja …

Analyysissa näytteen pinnankarheus (RMS) määritetään atomivoimamikroskoopilla (AFM). Hintaan kuuluu mittaus kolmesta pisteestä. Mittausalueena käytetään 5 x 5 mikrometriä, ellei toisin sovita. Testiraportti sisältää RMS-arvon lisäksi 2D kuvan, 3D …

VPD ICP-MS-menetelmällä voidaan havaita häviävän pienet metalliset epäpuhtaudet piikiekkojen ja ohutkalvojen pinnoilta. Analyysi perustuu näytteen pintakerroksen (~2 nm) liuottamiseen, minkä jälkeen metallien pitoisuudet mitataan liuoksesta. Perusanalyysi sisältää seuraavien …

Ohutkalvonäytteiden analysoiminen röntgendiffraktion (GI-XRD) avulla.

Ohutkalvonäytteiden röntgendiffraktio (GI-XRD) + röntgenheijastavuus (XRR). Tuloksena saadaan kalvojen tiheys (g/cm³), paksuus (nm) ja karheus (nm). XRR-paksuusmittausta varten kalvon paksuuden tulisi olla alle 100 nm ja ainakin yhtä suuruusluokkaa …

Ellipsometria on optinen tekniikka, jolla karakterisoidaan polarisoituneen valon heijastumista näytteen pinnasta. Menetelmällä voidaan määrittää näytteen taitekerroin tai paksuus. Ellipsometriaa käytetään ohutkalvojen ja perusmateriaalien karakterisointiin. Näyte voi olla yksi- …

Näytteen kuvaaminen läpäisyelektronimikroskoopilla (TEM) ja alkuainekoostumuksen määritys energiadispersiivisellä röntgenspektroskopialla (EDX tai EDS). Tyypillisessä analyysissä näytteestä otetaan useita kuvia eri suurennoksilla edustavan otoksen saamiseksi. Lisäksi …

Näytteen kuvaaminen läpäisyelektronimikroskoopilla (TEM). Tyypillisesti näytteestä otetaan useita kuvia eri suurennoksilla edustavan otoksen saamiseksi. TEM:in resoluutio on nanometrin luokkaa. TEM-kuvantaminen edellyttää usein esikäsittelyä FIB-menetelmällä. Käsittely …

XPS on semikvantitatiivinen tekniikka, joka mahdollistaa materiaalien pinnan alkuainekoostumuksen määrityksen. Lisäksi menetelmällä voidaan määrittää atomien sitoutumis- ja elektronitilat. XPS on pintaherkkä tekniikka. Tyypillinen tutkimussyvyys on 3-10 nm ja havaitsemisrajat noin …

TXRF-menetelmällä voidaan määrittää näytteen pinnan alkuainekoostumus. Mittausta käytetään usein häviävän pienten epäpuhtauksien tunnistamiseen eri puolilta ohutkalvoa tai piikiekkoa. Määritysraja: 109 – 1011 at/cm2 Syvyysresoluutio: < 10 nm

Sekundääri-ionimassaspektrometria (SIMS) soveltuu erityyppisten kiinteiden materiaalien syvyysprofilointiin. SIMS tunnistaa kaikki alkuaineet, joiden massa on vedyn ja uraanin välissä. Matalan määritysrajan ansiosta menetelmä sopii …

XPS-syvyysprofiilointi vuorottelee etsausjaksojen ja XPS-analyysijaksojen välillä. Menetelmä antaa semikvantitatiivista tietoa alkuainekoostumuksesta (at. %) syvyyden funktiona. Atomien sitoutumis- ja elektronitilat voidaan myös määrittää syvyyden funktiona. Kyseessä …

XPS on pintaherkkä tekniikka, jolla voidaan määrittää näytteen alkuainekoostumus ja alkuaineiden kemialliset sidostilat. Mittaussyvyys on tyypillisesti 3-10 nm ja määritysraja 0.1-1 atomiprosenttia. XPS …

Analyysin aikana näytteen pinta kuvannetaan atomivoimamikroskoopilla (AFM). Tyypillisesti näytteestä otetaan topologisia kuvia useasta eri kohdasta. Mittausalue on 5 x 5 mikrometriä, ellei toisin sovita.

C-SAM on näytettä vahingoittamaton analyysimenetelmä, jota käytetään erityisesti elektroniikkateollisuuden vika-analyyseissä. Menetelmä soveltuu esimerkiksi puolijohdekiekkojen välisten liitosten eheyden tutkimiseen sekä materiaalin sisäisten halkeamien ja …

Naarmuuntumistesti (nano scratch) ohutkalvonäytteille. Tyypillinen mittaus sisältää valokuvan naarmuuntumisjäljestä sekä critical load -arvojen määrityksen.

Näytteen valmistelu elektronimikroskopiaa varten kohdennetulla ionisuihkulla (FIB, Focused Ion Beam). Menetelmä on eritäin tarkka, ja sillä voidaan valmistaa hyvin ohuita näytekappaleita SEM- tai TEM-kuvantamista varten. Hintaan kuuluu vain …

HRMS eli korkean resoluution massaspektrometria on yhdisteiden molekyylimassan määrittämiseen käytetty analyysitekniikka. Tarkkuutensa ansiosta HRMS-mittaus soveltuu erinomaisesti niin pienten orgaanisten molekyylien kuin suurten makromolekyylien rakenteen tunnistamiseen. …

Näytteen sisäisten rakenteiden 3D-kuvantaminen mikrotietokonetomografialla (mikro-CT), joka ei vahingoita näytettä. Menetelmällä saadaan tietoa kiinteiden rakenteiden tiheydestä, sisäisistä halkeamista, tyhjiöistä ja faasijakaumista. Analyysi soveltuu parhaiten jauhemaisille …

Pinnan karheuden tai reunan terävyyden määritys optisella profilometrillä.

Materiaalien magneettisten ominaisuuksien määritys magneettikentän funktiona. Mittaukseen käytetään värähtelevän näytteen magnetometriä (vibrating-sample magnetometer, VSM), jota kutsutaan myös Foner-magnetometriksi. Mittaus perustuu Faradayn …

GD-OES (engl. Glow Discharge-Optical Emission Spectroscopy) on kvantitatiivinen analyysitekniikka, jolla voidaan määrittää näytteen alkuainekoostumus syvyyden funktiona. Mittausta käytetään ensisijaisesti paksujen materiaalien syvyysprofilointiin. Näytteet ovat tyypillisesti …

Korkean lämpötilan mikroskopia (engl. hot-stage microscopy, HSM) yhdistää mikroskooppikuvauksen termiseen analyysiin. Kun näytettä kuvataan mikroskoopilla eri lämpötiloissa, saadaan tietoa mm. seuraavista: Morfologia ja hiukkasten ominaisuudet, …

Metallipitoisuuksien määritys LA-ICP-MS-tekniikalla. Mittaus sisältää seuraavien alkuaineiden määrityksen: Ag, Al, As, Au, B, Ba, Be, Bi, Br, Ca, Cd, Ce, Co, Cr, Cs, Cu, Dy, Er, Eu Fe, Ga, Gd, Ge, Hf, Hg, Ho, I, In, Ir, K, La, …

Partikkelikokojakauma määritetään läpäisyelektronimikroskoopilla (TEM) otetuista kuvista. Menetelmä soveltuu parhaiten alle 50 nm kokoisille hiukkasille. Hiukkasten muodosta riippuen analyysi sisältää joko halkaisijan tai pituuksien ja …

Alkuainesuhteiden määritys RBS-menetelmällä (Rutherfordin takaisinsirontaspektrometria). Mittaus soveltuu syvyysprofilointiin. RBS antaa tietoa raskaampien alkuaineiden pitoisuuksista. Kevyistä alkuaineista saadaan tietoa, jos menetelmä yhdistetään ToF-ERDA-mittaukseen.

Auger-elektronispektroskopia (AES) on yleinen menetelmä kiinteiden pintojen analysointiin. AES-mittauksen avulla voidaan selvittää näytteen alkuainekoostumus pinnalta ja eri syvyyksistä sekä tuottaa pintakuvia erityyppisistä sähköä johtavista ja …

Boorin (B) ja fosforin (P) akkreditoitu määritys BPSG-kiekoista.

Elektroniikan kestävyyden testaus tasaisen kylmässä tai kuumassa lämpötilassa EN 60068 -standardien mukaisesti. Tarkoituksena on arvioida, miten sähkölaitteet tai niiden komponentit kestävät säilytystä, kuljetusta tai …

Metallipitoisuuksien määritys LA-ICP-MS-tekniikalla. Standardianalyysi sisältää seuraavien alkuaineiden määrityksen: Ca, Cr, Cu, Co, Er, Fe, Ge, Pb, Mn, Mo, Ni, K, Na, Sn, Ti, Ta, Zn, Bi, Au, Sn, V, Sr ja Y. Tulokset …

Testillä arvioidaan sähkölaitteiden ja niiden osien mekaanista kestävyyttä, kun osat altistetaan äkilliselle rasitukselle. Testiolosuhteiden on tarkoitus on jäljitellä käytön aikana mahdollisesti aiheutuvia odottamattomia ja rajuja …

Ryhmäviiveen dispersion (GDD, group delay dispersion) ja ryhmänopeuden dispersion (GVD, group velocity dispersion) määritys optisesta materiaalista valkoisen valon interferometrillä.

Standardin EN 60068-2-6 mukainen testi, jonka tarkoitus on arvioida, miten sähkölaitteet tai niiden komponentit kestävät tietyn voimakkuustason sinimuotoista tärinää. Testiolosuhteet voivat olla esimerkiksi seuraavat: …

Testillä arvioidaan tuotteen tai komponentin kestävyyttä olosuhteissa, joissa se altistuu satunnaiselle tärinälle. Tarkoitus on varmistaa, että tuote kestää käytön aikana kohtaamiaan rasituksia menettämättä suorituskykyään. …

Metallipitoisuuden määritys LA-ICP-MS-tekniikalla. Mittaus sisältää yhden alkuaineen määrityksen. Tulokset ilmoitetaan yksikössä ppm (µg / g).

IEC 60243-1 -standardin mukainen muovin läpilyöntilujuuden määritys, jonka aikana näytelevy altistetaan asteittan kasvavalle jännitteelle kahden elektrodin välillä. Jännitettä, jossa muovi …

ATD-GC-MS (kaasukromatografia-massaspektrometria ATD-keräimellä) on hyvin herkkä analyysimenetelmä piikiekkojen pinnalta löytyvien orgaanisten vierasaineiden analysointiin. …