Puolijohteiden testaus

Measurlabs tarjoaa kattavan valikoiman testimenetelmiä puolijohdemateriaalien ja mikroelektroniikan tuotekehityksen ja laadunvalvonnan tueksi. Meiltä saat helposti yhdestä paikasta niin SEM- ja TEM-kuvaukset, alkuainekoostumuksen määritykset kuin ohutkalvojen paksuus- ja karheusmittaukset.
Puolijohteiden testaus
Kone logoNeste logoFermion logoPlanmeca logoSulapac logoOkmetic logo
  • Nopeat tulokset
  • Henkilökohtaista apua asiantuntijoilta
  • Kilpailukykyiset hinnat
  • Takuu tulosten oikeellisuudesta
TEM poikkileikekuva ohutkalvosta

Puolijohdemateriaalien kuvantaminen

Tarjoamme korkean resoluution kuvantamista elektronimikroskoopeilla (SEM & TEM) sekä atomivoimamikroskoopilla (AFM). SEM- ja TEM-laitteistoja voidaan täydentää lisäosilla, kuten alkuaineanalyysin mahdollistavalla EDS-detektorilla tai lisätietoa näytteen kiderakenteesta tarjoavalla EBSD-detektorilla. Suuremmista näytekappaleista voidaan tarvittaessa valmistella poikkileikkeet BIB- tai FIB-menetelmillä.

Palveluvalikoimastamme löytyy myös näytettä vahingoittamattomia kuvantamismenetelmiä sisäisten rakenteiden tarkasteluun. Näistä akustinen mikroskopia (SAM) soveltuu erityisen hyvin monikerroksisten kalvojen ja piirilevyjen liitosrajapintojen analysointiin. Myös mikro-CT voi soveltua joillekin puolijohdenäytteille, joskin riittävän korkean resoluution saavuttaminen edellyttää yleensä näytteen leikkaamista.

SEM-EDX-kuvaus

Näytteen kuvaaminen pyyhkäisyelektronimikroskoopilla (SEM) ja alkuainekoostumuksen määritys energiadispersiivisellä röntgenspektroskopialla (EDX, EDS). Tyypillisesti näytteestä otetaan useita kuvia eri suurennoksilla edustavan otoksen saamiseksi. Tuloksena saadaan myös analysoidun alueen alkuainekoostumus, joka voidaan esittää esimerkiksi alkuainekarttana. Sähköä johtamattomat näytteet voidaan valmistella kuvausta varten metallipäällysteellä. Tarjoamme pyynnöstä myös poikkileikenäytteen valmistuksen. Tähän voidaan hyödyntää esimerkiksi FIB- tai BIB-menetelmiä.
157–609 €
Lue lisää

AFM-kuvantaminen sileille pinnoille

Analyysin aikana näytteen pinta kuvannetaan Bruker Dimension Icon -atomivoimamikroskoopilla (AFM). Tyypillisesti näytteestä otetaan topologisia kuvia useasta eri kohdasta. Mittausalue on 5 x 5 mikrometriä, ellei toisin sovita.
220–349 €
Lue lisää

TEM-kuvantaminen

Näytteen kuvaaminen läpäisyelektronimikroskoopilla (TEM). Tyypillisesti näytteestä otetaan useita kuvia eri suurennoksilla edustavan otoksen saamiseksi. TEM:in resoluutio on nanometrin luokkaa. TEM-kuvantaminen edellyttää usein esikäsittelyä FIB-menetelmällä. Käsittely laskutetaan erikseen. Tarjoamme myös korkean resoluution HR-TEM-analyysejä. Pyydä lisätietoja asiantuntijoiltamme alta löytyvällä lomakkeella.
532–1 410 €
Lue lisää

TEM-EDX-kuvantaminen

Näytteen kuvaaminen läpäisyelektronimikroskoopilla (TEM) ja alkuainekoostumuksen määritys energiadispersiivisellä röntgenspektroskopialla (EDX tai EDS). Tyypillisessä analyysissä näytteestä otetaan useita kuvia eri suurennoksilla edustavan otoksen saamiseksi. Lisäksi saadaan alkuainekoostumus joko atomi- tai massaprosentteina. Tulokset voidaan ilmaista alkuainekarttana tai analysoitavan alueen tai pisteen alkuainespektrinä. Näytteet täytyy usein valmistella kuvantamista varten esimerkiksi FIB-menetelmällä. Näytevalmistelusta peritään lisämaksu. Tarjoamme myös korkean resoluution HR-TEM-kuvauksia. Voit pyytää lisätietoja analyysivaihtoehdoista tarjouspyynnön yhteydessä.
607–1 477 €
Lue lisää

SEM-kuvantaminen

Näytteen kuvantaminen pyyhkäisyelektronimikroskoopilla (SEM). Näytteestä otetaan yleensä useita kuvia eri suurennoksilla edustavan otoksen saamiseksi. Sähköä johtamattomat näytteet voidaan valmistella analyysiä varten päällystämällä ne ohuella metallikerroksella. Näytteestä voidaan myös tarvittaessa valmistella poikkileike esimerkiksi FIB- tai BIB-menetelmällä. Lisäksi helposti vahingoittuvat näytemateriaalit voidaan valmistella pikajäädytyksellä (kryo-SEM). Jos tarvitset tietoa myös alkuainekoostumuksesta, voit tilata SEM-EDX-kuvauksen. Tarjoamme myös korkean lämpötilan SEM-kuvaukset jopa 1400 °C lämpötilassa. Voit pyytää tarjouksen täyttämällä alta löytyvän lomakkeen.
107–609 €
Lue lisää

Näytevalmistelu FIB-tekniikalla

Näytteen valmistelu elektronimikroskopiaa varten kohdennetulla ionisuihkulla (FIB, Focused Ion Beam). Menetelmä on eritäin tarkka, ja sillä voidaan valmistaa hyvin ohuita näytekappaleita SEM- tai TEM-kuvantamista varten. Saat pyynnöstä tarkan hinnan joko pelkälle FIB-näytevalmistelulle tai FIB-SEM- ja FIB-TEM-analyyseille.
589–1 228 €
Lue lisää

Akustinen mikroskopia (C-SAM)

C-SAM on näytettä vahingoittamaton analyysimenetelmä, jota käytetään erityisesti elektroniikkateollisuuden vika-analyyseissä. Menetelmä soveltuu esimerkiksi puolijohdekiekkojen välisten liitosten eheyden tutkimiseen sekä materiaalin sisäisten halkeamien ja tyhjiöiden havaitsemiseen. Tarvittaessa voidaan käyttää GHz-SAM -laitteistoa, joka tarjoaa tavallista akustista mikroskooppia korkeamman resoluution. Max. näytekoko: 300 mm x 300 mm – 350 mm x 350 mm (perinteinen C-SAM), 100 µm – 1500 µm (GHz-SAM) Saat lisätietoja analyysimahdollisuuksista ja tarkan hinta-arvion ottamalla yhteyttä asiantuntijoihimme alta löytyvällä lomakkeella.
186–929 €
Lue lisää

Mikro-CT- tai nano-CT-kuvaus

Näytteen sisäisten rakenteiden 3D-kuvantaminen mikro- tai nanotietokonetomografialla (mikro-CT tai nano-CT), joka ei vahingoita näytettä. Menetelmällä saadaan tietoa kiinteiden rakenteiden tiheydestä, sisäisistä halkeamista, tyhjiöistä ja faasijakaumista. Analyysi soveltuu jauhemaisille materiaaleille, kuten lääke- ja kosmetiikkateollisuuden raaka-aineille, sekä kiinteille kappaleille, kuten piikiekoille ja koneiden komponeteille. Menetelmällä voidaan saavuttaa jopa 60 nm:n vokselikoko. Kuvantaminen voidaan toteuttaa mm. seuraavilla laitteistoilla: Bruker SkyScan 1272 CMOS, Bruker SkyScan 2214 CMOS, Zeiss Xradia 515 Versa. Saat lisätietoja näytevaatimuksista sekä menetelmän soveltuvuudesta eri materiaaleille, kun laitat viestiä asiantuntijoillemme alta löytyvällä lomakkeella.
699–1 987 €
Lue lisää

Hinnat ilmoitettu ilman arvonlisäveroa.

Puolijohdemateriaalien alkuainekoostumuksen määritys

Alkuainekoostumuksen määritys

Ohutkalvojen ja muiden puolijohdemateriaalien alkuainekoostumus voidaan määrittää näytteen pinnalta sekä eri syvyyksistä. Measurlabs tarjoaa mittauksia muun muassa seuraavilla analyysitekniikoilla:

  • ToF-ERDA – menetelmällä voidaan määrittää  näytteen koostumus kaikkien alkuaineiden sekä vedyn eri isotooppien osalta 0,5 atomiprosentin tarkkuudella.

  • SIMS – menetelmällä voidaan havaita häviävän pieniä epäpuhtauksia (miljoonas- ja jopa miljardisosia) niin näytteen pinnalta kuin eri syvyyksistä noin 10 mikrometriin asti.

  • GD-OES – tekniikka soveltuu nopeaan kvantitatiiviseen syvyysprofilointiin ja pystyy havaitsemaan myös kevyitä alkuaineita.

  • VPD-ICP-MS – soveltuu häviävän pienten metallipitoisuuksien havaitsemiseen piikiekkojen ja ohutkalvojen pinnoilta.

ToF-ERDA-mittaus

Tof-ERDA-mittaus soveltuu kiinteiden näytemateriaalien alkuainekoostumuksen kvantitatiiviseen määritykseen ja syvyysprofilointiin. ToF-ERDA havaitsee kaikki alkuaineet ja vedyn eri isotoopit. Menetelmä tuottaa alkuainekohtaiset syvyysprofiilit määrittämällä kunkin alkuaineen pitoisuuden eri syvyyksillä näytteessä. Tyypillisesti detektioraja on 0,1–0,5 atomiprosenttia ja syvysresoluutio 5–20 nm. Menetelmä soveltuu 20–500 nm paksuisten ohutkalvojen analysointiin. Näytteen pinnan on oltava sileä, ja sen karheuden on oltava alle 10 nm, jotta mittaus pystytään suorittamaan. Menetelmä on luontaisesti kvantitatiivinen, kun analysoidaan ohutkalvoja tyypillisillä substraateilla, kuten pii (Si), galliumnitridi (GaN), piikarbidi (SiC), galliumarsenidi (GaAs) tai indiumfosfidi (InP). Siksi referenssinäytteitä ei tarvita kvantitatiivisten tulosten saamiseksi. Tämä tekniikka on erityisen hyödyllinen kevyiden alkuaineiden analysoinnissa. Normaalien TOF-ERDA mittausten lisäksi suoritamme myös LI-ERDA-mittauksia (tunnetaan myös nimellä Foil ERDA) vedyn isotooppien määrittämiseksi matalina pitoisuuksina. LI-ERDA:lla saavutetaan tyypillisesti 0.01 atomiprosentin määritysrajat vedyn isotoopeille ja päästään joidenkin materiaalien osalta jopa 1 nm syvyysresoluutioon. LI-ERDA:lla ei voida määrittää muita alkuaineita samanaikaisesti vedyn kanssa.
499–569 €
Lue lisää

Sekundäärinen ionimassaspektrometria (SIMS)

Sekundääri-ionimassaspektrometria (SIMS) soveltuu erityyppisten kiinteiden materiaalien syvyysprofilointiin. SIMS tunnistaa kaikki alkuaineet, joiden massa on vedyn ja uraanin välissä. Matalan määritysrajan ansiosta menetelmä sopii jopa häviävän pienten epäpuhtauspitoisuuksien analysointiin. Kvantitatiivisten tulosten saaminen edellyttää standardien käyttöä.
496–2 499 €
Lue lisää

GD-OES-mittaus

GD-OES (engl. Glow Discharge-Optical Emission Spectroscopy) on kvantitatiivinen analyysitekniikka, jolla voidaan määrittää näytteen alkuainekoostumus syvyyden funktiona. Mittausta käytetään ensisijaisesti paksujen materiaalien syvyysprofilointiin. Näytteet ovat tyypillisesti epäorgaanisia materiaaleja ja päällysteitä, esimerkiksi metallia, lasia tai keramiikkaa.
465–721 €
Lue lisää

VPD ICP-MS

VPD ICP-MS-menetelmällä voidaan havaita häviävän pienet metalliset epäpuhtaudet piikiekkojen ja ohutkalvojen pinnoilta. Analyysi perustuu näytteen pintakerroksen liuottamiseen, minkä jälkeen metallien pitoisuudet mitataan liuoksesta. Kiekon reuna-alue (esim. uloimmat 2 mm tai 5 mm) voidaan pyydettäessä jättää mittauksen ulkopuolelle. Tarjoamme analyysipaketteja laajalle valikoimalle alkuaineita: 58 alkuaineen analyysi: Al, As, B, Ba, Be, Bi, Ca, Cd, Ce, Co, Cr, Cs, Cu, Dy, Er, Eu, Fe, Ga, Gd, Ge, Hf, Hg, Ho, In, K, La, Li, Lu, Mg, Mn, Mo, Na, Nb, Nd, Ni, Pb, Pr, Rb, Sb, Sc, Se, Sm, Sn, Sr, Ta, Tb, Te, Th, Ti, Tl, Tm, U, V, W, Y, Yb, Zn, Zr., 41 alkuaineen analyysi: Al, As, B, Ba, Be, Bi, Ca, Cd, Co, Cr, Cs, Cu, Ga, Ge, Fe, Hf, Ir, K, Li, Mg, Mn, Mo, Na, Nb, Ni, Pb, Re, Sb, Sn, Sr, Ta, Te, Th, Ti, Tl, U, W, V, Y, Zn, Zr, 30 alkuaineen analyysi: Al, As, B, Ba, Be, Bi, Ca, Cd, Co, Cr, Cu, Ga, Ge, Fe, K, Li, Mg, Mn, Mo, Na, Ni, Pb, Sb, Sn, Sr, Ti, W, V, Zn, Zr, Vapaavalintainen 30 alkuaineen analyysi: mitkä tahansa 30 alkuainetta täydeltä 58 alkuaineen listalta., Jalometallit: jalometallien lisäys mihin tahansa analyysipakettiin Ag, Au, Pd, Pt, Rh, Ru, Ag, Au, Pt, Pd.. Paketteja voidaan tarvittaessa laajentaa muilla alkuaineilla. Huomioithan kuitenkin, ettei ICP-MS-tekniikalla voida havaita monia kevyitä alkuaineita (mm. H, C, N, F ja O)., Määritysraja on ppm–ppb-tasoa (106–1010at/cm2).. Mittaus on suunniteltu 100, 150, 200 ja 300 mm piikiekkojen analysointiin, mutta myös muun kokoisia kiekkoja ja ohutkalvoja on mahdollista analysoida. Analyysi toteutetaan yleensä jollain seuraavista laitteista: Perkin-Elmer NexION 350S ICP-MS, Perkin-Elmer Sciex ELAN 6100 DRC II ICP-MS, Thermo Fisher iCAP TQe ICP-MS, Finnigan element2 ICP-MS. Nopeutettu, 1–3 arkipäivän läpimenoaika on mahdollinen lisämaksua vastaan. Kerro meille organisaationne mittaustarpeista ja pyydä tarjous täyttämällä alta löytyvä lomake.
378–870 €
Lue lisää

Hinnat ilmoitettu ilman arvonlisäveroa.

Fysikaaliset ominaisuudet

Ohutkalvojen, mikrosirujen ja muiden puolijohdemateriaalien paksuutta, tiheyttä ja karheutta voidaan mitata useilla analyysitekniikoilla. Measurlabs tarjoaa muun muassa karheusmittauksia AFM-menetelmällä, paksuusmittauksia XRR-menetelmällä ja kiderakenteen määritystä GI-XRD- tekniikalla.

AFM - pinnankarheuden määrittäminen

Analyysissa näytteen pinnankarheus (RMS) määritetään atomivoimamikroskoopilla (AFM). Useimmiten käytetään Bruker Dimension Icon -laitteistoa. Tyypillinen analyysi kattaa kolme mittauspistettä. Mittausalueena käytetään 5 x 5 mikrometriä, ellei toisin sovita. Testiraportti sisältää RMS-arvon lisäksi 2D kuvan, 3D kuvan ja raakadatan.
220–349 €
Lue lisää

XRR-mittaus ohutkalvoille

Röntgenheijastuvuuden mittaus eli XRR-analyysi, jolla voidaan määrittää ohutkalvon tiheys (g/cm3), paksuus (nm) ja karheus (nm). Menetelmä soveltuu yksittäisten tai monikerroksisten ohutkalvojen karakterisointiin, sillä se tarjoaa tietoa näytteen yksittäisten kerrosten paksuudesta ja tiheydestä sekä rajapintojen karheudesta. Suurin mittaustarkkuus paksuuden määrityksessä saavutetaan näytteille, joissa kalvon tai kalvopinon yhteenlaskettu paksuus on enintään 150 nm ja pinnan karheus on alhainen (<5 nm). Paksumpia kalvoja ja pinnoitteita (jopa ~5 µm) sekä karkeampia pintoja voidaan myös karakterisoida, mutta kalvon tai kalvopinon paksuuden ja karheuden kasvaessa paksuuden määrityksen tarkkuus heikkenee tai siitä tulee mahdotonta XRR:lla. >150 mm kiekot leikataan yleensä paloiksi XRR mittausta varten. Kerrothan tarjouspyynnön yhteydessä, jos näytteesi on kasvatettu yli 150 mm kiekoille, joita et halua leikattavan. Saatavilla oleva lämpötila-alue XRR-mittauksille on 25–1100 °C, ja kiteisyyttä voidaan tutkia lämpötilan funktiona. Mittaukset voidaan suorittaa normaalissa ilmassa, inertin kaasun alla tai tyhjiössä. Käytettävissä ovat seuraavat laitteet: Rigaku SmartLab, Panalytical X'Pert Pro MRD, Bruker D8 Discover.
183–271 €
Lue lisää

Ohutkalvonäytteiden GI-XRD

Ohutkalvoröntgendiffraktio (engl. Grazing incidence X-ray diffraction, GIXRD) on röntgendiffraktion (XRD) muunnelma, ohutkalvojen ja ohuiden pintakerrosten paramentrien määrittämiseen. Mittauksen tuloksena saadaan seuraavat tiedot: XRD-spektri ja faasi(en) tunnistus, Kiteisyys, kidekoko, hilaparametrit ja jännitys faasille. HUOM. Nämä parametrit voidaan määrittää vain, jos näyte on erittäin kiteinen. Jos kiteisyys on riittämätön, parametrien määritys ei aina ole mahdollista.. Tarkimmat GI-XRD-tulokset saavutetaan tyypillisesti näytteille, joiden pintakerroksen paksuus on enintään 300 nm ja RMS-karheus alle 10 nm. Paksumpia kalvoja ja karheampia pintoja voidaan myös analysoida, mutta datan laatu on yleensä heikompi karheilla näytteillä, ja näytteen ominaisuudet yli 300 nm syvyydessä eivät yleensä heijastu mittaustuloksiin. Käytämme GI-XRD-mittauksiin seuraavia laitteistoja: Rigaku SmartLab, Panalytical X'Pert Pro MPD, Bruker D8 Discover, Malvern Empyrean, GNR APD2000PRO. Mittaukset suoritetaan lähtökohtaisesti huoneenlämmössä ja normaalin ilmakehän alla, mutta lämpötiloja välillä 25–1100 °C voidaan käyttää ja kiteisyyttä tutkia lämpötilan funktiona. Mittauksia voidaan tehdä myös inertin kaasun alla tai vakuumissa tarpeen mukaan. Saat lisätietoja olosuhdevaihtoehdoista asiantuntijoiltamme.
183–271 €
Lue lisää

Ellipsometria

Ellipsometria on optinen tekniikka, jolla karakterisoidaan polarisoituneen valon heijastumista näytteen pinnasta. Menetelmällä voidaan määrittää näytteen taitekerroin tai paksuus. Ellipsometriaa käytetään ohutkalvojen ja perusmateriaalien karakterisointiin. Näyte voi olla yksi- tai monikerroksinen kalvo. Mittaukseen sopiva näytteen paksuus riippuu materiaalista - kysy tarvittaessa lisätietoja asiantuntijoiltamme.
229–359 €
Lue lisää

Hinnat ilmoitettu ilman arvonlisäveroa.

Semiconductor failure analysis

Mikroelektroniikan mekaaninen kestävyys ja lämmönkesto

Tarjoamme useita standardinmukaisia mittauksia puolijohdemateriaalien, mikroelektroniikan ja muiden sähköisten komponenttien mekaanisen kestävyyden arviointiin. Lisäksi voimme testata komponenttien toimintakykyä matalissa ja korkeissa lämpötiloissa. Seuraavat ovat vain muutamia esimerkkejä saatavilla olevista mittauksista:

Kysy lisää analyysimahdollisuuksista ja tee tarjouspyyntö ottamalla yhteyttä asiantuntijoihimme.

Asiantuntevaa asiakaspalvelua

Kun tilaat tarvitsemasi puolijohteiden testauspalvelut Measurlabsilta, saat käyttöösi laajan analyysivalikoiman helposti yhdestä paikasta, selkeät testiraportit sekä tukea sopivimman mittaustekniikan valintaan testausalan asiantuntijoilta. Tee tarjouspyyntö tai kysy lisätietoja alta löytyvällä lomakkeella.

Tarjouspyyntö

Vastaamme viesteihin yhdessä arkipäivässä.

Onko sinulla kysymyksiä tai tarvitsetko apua? Lähetä meille sähköpostia tai soita myyjillemme.