SEM-EBIC-analyysi
Puolijohdenäytteiden sähköinen in situ -karakterisointi EBIC-menetelmällä (engl. electron beam induced current) mahdollistaa sähköisesti aktiivisten vikojen suoran kuvantamisen.
Analyysissa näytteeseen kohdistetaan elektronisuihku, joka synnyttää materiaaliin elektroni-aukkoparin. Syntyvä vähemmistövarauksenkuljettajavirta kartoitetaan pikseli pikseliltä ja yhdistetään samanaikaisesti hankittuihin SEM-kuviin. Näin sähköisesti aktiiviset viat, liitokset ja raerajat voidaan paikantaa alle mikrometrin tarkkuudella.
Elektronisuihkun kiihdytysjännite on säädettävissä (tyypiliisin väli 0,2–20 kV), ja lämpötila voidaan valita −40 °C – 200 °C väliltä.
Ennen analyysiä näytteeseen kasvatetaan ohminen tai Schottky-kontakti (esim. ohut Au-, Al- tai Ti/Au-kerros) varauksenkuljettajien keräämiseksi. Poikkileikkausnäytteen valmistaminen onnistuu tarvittaessa FIB-menetelmällä.
Sivulla näkyvä hintaesimerkki koskee 28 nm:n prosessiteknologialla valmistetun paljaan piisirun EBIC-kartoitusta. Pyydä tarjous omille näytteillenne täyttämällä alta löytyvä lomake.
Lisätietoja menetelmästä:
SEM-analyysi (SEM)- Soveltuvat näytematriisit
- Pinnoittamattomat ja pinnoitetut piikiekot, puolijohdemateriaalit ja -laitteet (mm. MOSFET- ja CMOS-laitteet, poly-Si-, CIGS- ja perovskiitti-aurinkokennot, SiC- ja GaN-teholaitteet)
- Näytteiden minimimäärä
- Maks. 2 x 2 cm
- Tyypillinen läpimenoaika
- 2 viikkoa näytteiden vastaanottamisesta
- Määritysraja
- Erotustarkkuus: ~20–100 nm
- Saatavilla olevat laatujärjestelmät
- Akkreditoitu menetelmä
- Mittauslaitteet
- Menetelmän asiantuntija
Hinta
Hintaan lisätään myös tilauskohtainen palvelumaksu.
Suurille näyte-erille tarjoamme alennetun hinnan.
Ota yhteyttä
Vastaamme viesteihin yhdessä arkipäivässä.
Onko sinulla kysymyksiä tai tarvitsetko apua? Lähetä meille sähköpostia info@measurlabs.com tai soita myyjillemme.
