SEM-EBIC-analyysi

Puolijohdenäytteiden sähköinen in situ -karakterisointi EBIC-menetelmällä (engl. electron beam induced current) mahdollistaa sähköisesti aktiivisten vikojen suoran kuvantamisen.

Analyysissa näytteeseen kohdistetaan elektronisuihku, joka synnyttää materiaaliin elektroni-aukkoparin. Syntyvä vähemmistövarauksenkuljettajavirta kartoitetaan pikseli pikseliltä ja yhdistetään samanaikaisesti hankittuihin SEM-kuviin. Näin sähköisesti aktiiviset viat, liitokset ja raerajat voidaan paikantaa alle mikrometrin tarkkuudella.

Elektronisuihkun kiihdytysjännite on säädettävissä (tyypiliisin väli 0,2–20 kV), ja lämpötila voidaan valita −40 °C – 200 °C väliltä.

Ennen analyysiä näytteeseen kasvatetaan ohminen tai Schottky-kontakti (esim. ohut Au-, Al- tai Ti/Au-kerros) varauksenkuljettajien keräämiseksi. Poikkileikkausnäytteen valmistaminen onnistuu tarvittaessa FIB-menetelmällä.

Sivulla näkyvä hintaesimerkki koskee 28 nm:n prosessiteknologialla valmistetun paljaan piisirun EBIC-kartoitusta. Pyydä tarjous omille näytteillenne täyttämällä alta löytyvä lomake.

Soveltuvat näytematriisit
Pinnoittamattomat ja pinnoitetut piikiekot, puolijohdemateriaalit ja -laitteet (mm. MOSFET- ja CMOS-laitteet, poly-Si-, CIGS- ja perovskiitti-aurinkokennot, SiC- ja GaN-teholaitteet)
Näytteiden minimimäärä
Maks. 2 x 2 cm
Tyypillinen läpimenoaika
2 viikkoa näytteiden vastaanottamisesta
Määritysraja
Erotustarkkuus: ~20–100 nm
Saatavilla olevat laatujärjestelmät
Akkreditoitu menetelmä
Mittauslaitteet

Hinta

Alkaen (ALV 0):
880 €per näyte

Hintaan lisätään myös tilauskohtainen palvelumaksu.

Suurille näyte-erille tarjoamme alennetun hinnan.

Heräsikö kysymyksiä? Autamme mielellämme.
Heräsikö kysymyksiä? Autamme mielellämme.
Ringing phone
Kone logoNeste logoFermion logoPlanmeca logoSulapac logoOkmetic logo

Ota yhteyttä

Vastaamme viesteihin yhdessä arkipäivässä.

Onko sinulla kysymyksiä tai tarvitsetko apua? Lähetä meille sähköpostia tai soita myyjillemme.