Anupam Glorious Lobo

Ohutkalvojen ja muiden puolijohdemateriaalien paikallisen sähkönjohtavuuden ja pinnan topografian samanaikainen kartoitus johtavalla atomivoimamikroskoopilla (C-AFM). Mittauksessa näyte skannataan sähköä johtavalla materiaalilla päällystetyllä mittauskärjellä, ja tuloksena saadaan kartta, jossa näkyvät niin pinnan korkeuserot kuin sähkönjohtavuus eri puolilla näytekappaletta.

Puolijohdenäytteiden sähköinen in situ -karakterisointi EBIC-menetelmällä (engl. electron beam induced current) mahdollistaa sähköisesti aktiivisten vikojen suoran kuvantamisen. Analyysissa näytteeseen kohdistetaan elektronisuihku, joka synnyttää materiaaliin elektroni-aukkoparin. Syntyvä vähemmistövarauksenkuljettajavirta kartoitetaan pikseli pikseliltä ja yhdistetään samanaikaisesti hankittuihin SEM-kuviin. Näin sähköisesti aktiiviset viat, liitokset ja raerajat voidaan paikantaa alle mikrometrin tarkkuudella. Elektronisuihkun kiihdytysjännite on säädettävissä (tyypiliisin väli 0,2–20 kV), ja lämpötila voidaan valita −40 °C – 200 °C väliltä. Ennen analyysiä näytteeseen kasvatetaan ohminen tai Schottky-kontakti (esim. ohut Au-, Al- tai Ti/Au-kerros) varauksenkuljettajien keräämiseksi. Poikkileikkausnäytteen valmistaminen onnistuu tarvittaessa FIB-menetelmällä. Sivulla näkyvä hintaesimerkki koskee 28 nm:n prosessiteknologialla valmistetun paljaan piisirun EBIC-kartoitusta. Pyydä tarjous omille näytteillenne täyttämällä alta löytyvä lomake.