Anupam Glorious Lobo

Simultane Kartierung der lokalen elektrischen Leitfähigkeit und Oberflächentopographie von Dünnfilmen und anderen Halbleitermaterialien mittels Leitfähigkeits-Rasterkraftmikroskopie (C-AFM). Zwischen der leitfähigen Sondenspitze und der geerdeten Probe wird eine Bias-Spannung angelegt, und der resultierende Strom wird Pixel für Pixel über das Scanareal erfasst. Dadurch entstehen korrelierte Topografie- und Stromkarten mit lateralen Auflösungen von 20–50 nm. An ausgewählten Punkten kann die Bias-Spannung variiert werden, um lokale Strom-Spannungs-(I-V)-Kurven zu erzeugen. Der Strommessbereich liegt ungefähr zwischen 1 pA und 10 µA; Materialien mit einer spezifischen Elektrizitätsleitfähigkeit oberhalb von ca. 10⁹ Ω·cm können nicht zuverlässig charakterisiert werden. Die Ergebnisse werden als koinjizierte Topografie- und Stromkarten, gegebenenfalls Widerstandskarten sowie lokale I‑V‑Kennlinien für ausgewählte Messpunkte dargestellt.

In-situ-elektrische Charakterisierung von Halbleiterproben mittels Electron Beam Induced Current (EBIC)-Mapping. Die Methode ermöglicht eine direkte Abbildung elektrisch aktiver Defekte, die in rein morphologischen REM-Aufnahmen nicht sichtbar sind. Die Probe wird in eine REM-Kammer eingebracht und mit einem fokussierten Elektronenstrahl abgerastert, wodurch Elektron-Loch-Paare im Material erzeugt werden. Der resultierende Mindertraeger-Strom wird Pixel fuer Pixel kartiert und mit gleichzeitig aufgenommenen Sekundaerelektronen- (SE) oder Rueckstreuelektronen-(BSE)‑Bildern ueberlagert, um elektrisch aktive Defekte, Uebergangsbereiche und Korngrenzen mit Submikrometeraufloesung zu lokalisieren. Mindertraeger-Diffusionslaenge, Oberflaechenrekombinationsgeschwindigkeit und Uebergangsposition koennen zudem aus Linienprofil‑Abklingkurven bestimmt werden. Die Beschleunigungsspannung des Elektronenstrahls ist vollständig einstellbar, wobei der am häufigsten verwendete Bereich zwischen 0,2 kV und 20 kV liegt. Die Temperatur kann ebenfalls im Bereich von -40 °C bis 200 °C gewählt werden. Vor der Analyse wird ein ohmscher oder Schottky-Kontakt (z. B. eine dünne Au-, Al- oder Ti/Au-Schicht) auf die Probe aufgebracht, um die Ladungsträgererfassung zu ermöglichen. Querschliffe können mittels FIB-Präparation hergestellt werden. Das angezeigte Preisbeispiel gilt für das EBIC-Mapping eines Bare Die mit einem 28nm-Prozessknoten. Bitte fordern Sie ein Angebot für Ihre spezifische Probe an.