Optinen mikoskopia (valomikroskooppi)

Analyysin aikana näytteen pinta kuvannetaan Bruker Dimension Icon -atomivoimamikroskoopilla (AFM). Tyypillisesti näytteestä otetaan topologisia kuvia useasta eri kohdasta. Mittausalue on 5 x 5 mikrometriä, ellei toisin sovita.

Näytteen sisäisten rakenteiden 3D-kuvantaminen mikro- tai nanotietokonetomografialla (mikro-CT tai nano-CT), joka ei vahingoita näytettä. Menetelmällä saadaan tietoa kiinteiden rakenteiden tiheydestä, sisäisistä halkeamista, tyhjiöistä ja faasijakaumista. Analyysi soveltuu jauhemaisille materiaaleille, kuten lääke- ja kosmetiikkateollisuuden raaka-aineille, sekä kiinteille kappaleille, kuten piikiekoille ja koneiden komponeteille. Menetelmällä voidaan saavuttaa jopa 60 nm:n vokselikoko. Kuvantaminen voidaan toteuttaa mm. seuraavilla laitteistoilla: Bruker SkyScan 1272 CMOS, Bruker SkyScan 2214 CMOS, Zeiss Xradia 515 Versa. Saat lisätietoja näytevaatimuksista sekä menetelmän soveltuvuudesta eri materiaaleille, kun laitat viestiä asiantuntijoillemme alta löytyvällä lomakkeella.

Partikkelikokojakauman (PSD) ja partikkelien muodon määritys kuva-analysaattorilla. Kuva-analyysin avulla voidaan tutkia mm. kuitumaisten, sauvamaisten ja kristallimaisten partikkelien kokoa ja muotoja, joista ei saada luotettavasti tietoa perinteisillä menetelmillä, kuten laserdiffraktiolla (LD) ja dynaamisella valonsironnalla (DLS). Partikkelien muodosta riippuen testiraportista ilmenee kokojakauma kuitujen leveydelle, pituudelle sekä ympyräpinta-alan ekvivalenttihalkaisijalle.

Jauhemaisen näytteen analyysipaketti, joka sisältää seuraavat analyysit: Hiukkaskokojakauman määritys SEM-EDX-menetelmällä, sisältäen näytevalmistelun isopropanolilla ja nanohiukkasten tunnistuksen Euroopan komission suosituksen (2022/C 229/01) mukaisesti., Kiderakenteen analyysi XRD-menetelmällä, sisältäen kidefaasien määrityksen ja tarvittavat näytevalmistelut (mm. kuivaus, jauhaminen)., Kemiallisen koostumuksen määritys ICP-AES-menetelmällä (epäorgaaniset alkuaineet) ja CHNS-analyysillä (hiili, vety, typpi, rikki)., Tilavuuteen suhteutetun ominaispinta-alan määritys typpi-adsorption ja helium-pyknometrian perusteella.. Saat tarjouksen analyyseistä ottamalla yhteyttä asiantuntijoihimme alta löytyvällä lomakkeella.

BIB-tekniikalla (engl. Broad Ion Beam) eli laajalla ionisuihkulla voidaan valmistella poikkileikenäyte tai siloittaa näytekappaleen pintaa SEM-kuvantamista varten. Menetelmä käyttää tarkasti kohdistettua, korkeaenergistä ionisuihkua näytteen jyrsimiseen. Tyypilliset käyttötarkoitukset Poikkileikenäytteiden valmistus ohutkalvoista, pinnoitteista ja kerroksellisista rakenteista SEM kuvantamista varten., Näytteiden pintojen silotus tai artefaktien tai kerrosrajapintojen esiin jyrsiminen SEM-kuvantamista varten.. Sopivat näytteet Erilaisille substraateille kasvatetut ohutkalvot, Bulkkimateriaalit, mukaan lukien metallit, keraamit, polymeerit ja komposiitit. Rajoitukset Ei sovellu materiaaleille, jotka ovat erittäin herkkiä ionipommitukselle., Erittäin suuret näytteet eivät mahdu laitteistoon., Mahdollisuus lieviin ionisuihkun aiheuttamiin muutoksiin erittäin herkissä materiaaleissa.. Liittyvät menetelmät Näytteen paikalliseen ohentamiseen tai valmistamiseen läpäisyelektronimikroskopiaa (TEM) varten käytetään kohdennettua ionisuihkua (FIB)., Jäädytysmurtamista voidaan käyttää usein ohuiden orgaanisten näytteiden kohdalla BIB:n sijasta kustannusten säästämiseksi..

Elektronien takaisinsirontadifraktio (EBSD) on SEM-pohjainen tekniikka, jolla voidaan määrittää kiteisten materiaalien kiderakenne, faasi ja raerakenne. Tyypilliset käyttökohteet Metallien, keraamien ja seosten mikrorakenneanalyysi, Materiaalien vaurioanalyysit. Sopivat näytteet Tasaiset, kiillotetut kiteiset näytteet, kuten metallit, keraamit ja ohutkalvot (50–500 nm). HUOM: kiillotus saatavilla karheille näytteille. Eristävien näytteiden pinnalle voidaan tarvita johtava pinnoite.

Näytteen kuvaaminen läpäisyelektronimikroskoopilla (TEM) ja alkuainekoostumuksen määritys energiadispersiivisellä röntgenspektroskopialla (EDX tai EDS). Tyypillisessä analyysissä näytteestä otetaan useita kuvia eri suurennoksilla edustavan otoksen saamiseksi. Lisäksi saadaan alkuainekoostumus joko atomi- tai massaprosentteina. Tulokset voidaan ilmaista alkuainekarttana tai analysoitavan alueen tai pisteen alkuainespektrinä. Näytteet täytyy usein valmistella kuvantamista varten esimerkiksi FIB-menetelmällä. Näytevalmistelusta peritään lisämaksu. Tarjoamme myös korkean resoluution HR-TEM-kuvauksia. Voit pyytää lisätietoja analyysivaihtoehdoista tarjouspyynnön yhteydessä.

Näytteen kuvaaminen läpäisyelektronimikroskoopilla (TEM). Tyypillisesti näytteestä otetaan useita kuvia eri suurennoksilla edustavan otoksen saamiseksi. TEM:in resoluutio on nanometrin luokkaa. TEM-kuvantaminen edellyttää usein esikäsittelyä FIB-menetelmällä. Käsittely laskutetaan erikseen. Tarjoamme myös korkean resoluution HR-TEM-analyysejä. Pyydä lisätietoja asiantuntijoiltamme alta löytyvällä lomakkeella.

Näytteen valmistelu elektronimikroskopiaa varten kohdennetulla ionisuihkulla (FIB, Focused Ion Beam). Menetelmä on eritäin tarkka, ja sillä voidaan valmistaa hyvin ohuita näytekappaleita SEM- tai TEM-kuvantamista varten. Saat pyynnöstä tarkan hinnan joko pelkälle FIB-näytevalmistelulle tai FIB-SEM- ja FIB-TEM-analyyseille.

Analyysissa näytteen pinnankarheus (RMS) määritetään atomivoimamikroskoopilla (AFM). Useimmiten käytetään Bruker Dimension Icon -laitteistoa. Tyypillinen analyysi kattaa kolme mittauspistettä. Mittausalueena käytetään 5 x 5 mikrometriä, ellei toisin sovita. Testiraportti sisältää RMS-arvon lisäksi 2D kuvan, 3D kuvan ja raakadatan.