Labortestdienstleistungen

Time-of-Flight Elastic Recoil Detection Analysis (ToF‑ERDA)-Messung zur Bestimmung der Elementkonzentrationen in Dünnschichten. Die ToF-ERDA ist in der Lage, alle Elemente zu identifizieren, einschließlich verschiedener Wasserstoffisotope. Sie liefert elementare Tiefenprofile, indem sie die Konzentration jedes Elements in unterschiedlichen Tiefen innerhalb einer Probe bestimmt. In der Regel erreicht die Methode Nachweisgrenzen im Bereich von 0,1 bis 0,5 Atomprozent und eine Tiefenauflösung zwischen 5 und 20 nm. Sie ist geeignet für die Analyse von Schichten mit Dicken zwischen 20 und 500 nm. Für präzise Messungen sollte die Probenoberfläche glatt sein und eine Rauheit von weniger als 10 nm aufweisen. Die Methode ist bei der Analyse von Dünnschichten auf typischen Substraten wie Silizium (Si), Galliumnitrid (GaN), Siliziumkarbid (SiC), Galliumarsenid (GaAs) oder Indiumphosphid (InP) von Natur aus quantitativ. Daher sind Referenzproben zur Gewinnung quantitativer Ergebnisse nicht erforderlich. Die Technik ist insbesondere bei der Analyse leichter Elemente aufgrund ihrer guten Nachweisgrenzen von großem Nutzen. Zusätzlich zu herkömmlichen ToF-ERDA-Messungen bieten wir auch LI-ERDA (auch als Foil-ERDA bezeichnet) zur präziseren Bestimmung von Wasserstoffisotopen an. Die Nachweisgrenzen mit LI-ERDA liegen typischerweise bei etwa 0,01 Atomprozent, und Tiefenauflösungen von ~1 nm können erreicht werden. Mit LI-ERDA können ausschließlich Wasserstoffisotope nachgewiesen werden. Wie die Ergebnisse berichtet werden, erfahren Sie in diesem Beispielbericht: ToF-ERDA-Messung.

Abbildung der Probe mit einem Rasterelektronenmikroskop (REM) unter Verwendung energiedispersiver Röntgenspektroskopie (EDX oder EDS). In der Regel werden mehrere Bilder mit unterschiedlichen Vergrößerungen aufgenommen, um einen guten Überblick über die Probe zu erhalten. Zur Bestimmung der Probenzusammensetzung (Elementverteilung in At.% oder Gew.%) wird ein EDX-Mapping, ein Linienscan oder eine Punktanalyse durchgeführt. Nichtleitende Proben können mit einer metallischen Beschichtung präpariert werden. Für Querschliffmessungen kann eine zusätzliche Präparation erforderlich sein: FIB, BIB, oder Gefrierbruch.

VPD-ICP-MS ermöglicht die Bestimmung von Verunreinigungen durch Spurenmetalle auf der Oberfläche von Wafern. Während der Analyse wird die gesamte Waferoberfläche gescannt, sofern nicht eine Randzone (2 mm, 5 mm usw.) ausgeschlossen werden soll. VPD-ICP-MS wird durchgeführt, indem mithilfe einer Säure die oberste Schicht des Wafers aufgelöst wird, bevor die Elementkonzentrationen mittels ICP-MS bestimmt werden. Bitte beachten Sie, dass leichtere Elemente wie H, C, N, O und F nicht analysiert werden können. Wir bieten verschiedene Analysenpakete für ein breites Spektrum an Elementen an: 58-Element-Analyse: Al, As, B, Ba, Be, Bi, Ca, Cd, Ce, Co, Cr, Cs, Cu, Dy, Er, Eu, Fe, Ga, Gd, Ge, Hf, Hg, Ho, In, K, La, Li, Lu, Mg, Mn, Mo, Na, Nb, Nd, Ni, Pb, Pr, Rb, Sb, Sc, Se, Sm, Sn, Sr, Ta, Tb, Te, Th, Ti, Tl, Tm, U, V, W, Y, Yb, Zn, Zr, Analyse von 41 Elementen: Al, As, B, Ba, Be, Bi, Ca, Cd, Co, Cr, Cs, Cu, Ga, Ge, Fe, Hf, Ir, K, Li, Mg, Mn, Mo, Na, Nb, Ni, Pb, Re, Sb, Sn, Sr, Ta, Te, Th, Ti, Tl, U, W, V, Y, Zn, Zr, 30-Element-Analyse: Al, As, B, Ba, Be, Bi, Ca, Cd, Co, Cr, Cu, Ga, Ge, Fe, K, Li, Mg, Mn, Mo, Na, Ni, Pb, Sb, Sn, Sr, Ti, W, V, Zn, Zr, Individuelles 30-Elemente-Paket: Sie wählen beliebige 30 Elemente aus unserer vollständigen Liste von 58 Elementen aus., Zusätzliche Edelmetalle: Fügen Sie die Analyse von Edelmetallen zu jedem Paket aus den unten aufgeführten Optionen hinzu: Ag, Au, Pd, Pt, Rh, Ru, Ag, Au, Pt, Pd.. Zusätzliche Elemente sind auf Anfrage verfügbar, Die Nachweisgrenzen liegen im ppm–ppb-Bereich (106–1010 Atome/cm2), Weitere Details finden Sie in diesem Beispielbericht: VPD ICP-MS analysis.. Diese Messung ist in erster Linie für 100-, 150-, 200- und 300-mm-Siliziumwafer ohne Beschichtung vorgesehen, wir bieten jedoch auch ICP-MS-Analysen für andere Wafergrößen und Dünnschichten bis zu einigen µm Dicke an. Zu den am häufigsten verwendeten Instrumenten gehören unter anderem: Perkin-Elmer NexION 350S ICP-MS, Perkin-Elmer Sciex ELAN 6100 DRC II ICP-MS, Thermo Fisher iCAP TQe ICP-MS, Finnigan ELEMENT2 ICP-MS. Ein Express-Service (1–3 Werktage) kann auf Anfrage gegen Aufpreis vereinbart werden. Kontaktieren Sie uns für weitere Informationen und zur Anforderung eines Angebots.

Bildgebung der Probe mittels Rasterelektronenmikroskopie (REM). In der Regel werden mehrere Aufnahmen mit unterschiedlichen Vergrößerungen angefertigt, um einen guten Überblick über die Probe zu erhalten. Nichtleitende Proben können mit einer metallischen Beschichtung präpariert werden, um die Bildgebung zu ermöglichen. Für Querschnittsmessungen kann zusätzliche Probenpräparation erforderlich sein: FIB, BIB, oder Gefrierbruch. Kryo-Präparation ist für biologische Materialien und andere empfindliche Probenarten verfügbar. Wenn zusätzlich eine Zusammensetzungsanalyse erforderlich ist, lesen Sie bitte die REM-EDX-Messung. Wir bieten außerdem Hochtemperatur-REM-Analysen bei Temperaturen bis zu 1400 °C an. Zögern Sie nicht, ein Angebot anzufordern.

Hochauflösende Abbildung mit einem Transmissionselektronenmikroskop (TEM) zur Erfassung von Morphologie, Kristallstruktur und Defekten mit Nanometerauflösung. In der Regel werden mehrere Aufnahmen mit unterschiedlichen Vergrößerungen angefertigt, um einen guten Überblick über die Probe zu erhalten. Wir bieten außerdem FIB-Präparation an, um den Querschnitt jeder beliebigen interessierenden Stelle zu analysieren, einschließlich mikroelektronischer Schichtstapel und loser Pulver. HR-TEM für atomare Auflösung, STEM für hochkontrastreiche Aufnahmen und Kryo-TEM für empfindliche Proben sind ebenfalls möglich. Für ergänzende Zusammensetzungsanalysen neben den Strukturdaten stehen TEM-EDX- und TEM-EELS-Elementaranalysen zur Verfügung. Kontaktieren Sie uns für weitere Details.

Die Röntgenreflektometrie (XRR) wird zur Bestimmung der Dichte (g/cm3), der Schichtdicke (nm) und der Rauheit (nm) von Dünnschichten eingesetzt. Das Verfahren ist zur Charakterisierung ein- oder mehrschichtiger Dünnfilme geeignet, da es Informationen über die Dicke und Dichte der einzelnen Schichten des Probenmaterials sowie über die Rauigkeit der Grenzflächen liefert. Die höchste Genauigkeit bei XRR-Dickenmessungen wird im Allgemeinen bei Proben mit 1–150 nm dicken Oberflächenschichten und einer RMS-Rauheit von unter 5 nm erzielt. Dickere Schichten und Beschichtungen mit stärker aufgerauten Oberflächen können ebenfalls charakterisiert werden, jedoch nimmt die Genauigkeit der Dickenbestimmung mit zunehmender Schichtdicke und Rauheit der Schicht bzw. des Schichtstapels ab. >150-mm-Wafer werden in der Regel zugeschnitten, um in den Probenhalter zu passen. Bitte teilen Sie uns mit, wenn Sie Prüfungen für größere Wafer benötigen, die nicht in Stücke geschnitten werden können. Der verfügbare Temperaturbereich für XRR-Messungen liegt bei 25–1100 °C, und die Kristallinität kann in Abhängigkeit von der Temperatur untersucht werden. Die Messungen können unter Normalatmosphäre, in inerter Gasatmosphäre oder im Vakuum durchgeführt werden. Messungen werden in der Regel mit einem der folgenden Instrumente durchgeführt: Rigaku SmartLab, Panalytical X'Pert Pro MRD, Bruker D8 Discover. Bitte teilen Sie uns mit, ob Sie eine Präferenz für ein bestimmtes Instrument haben.

Abbildung der Probe mittels Raster-Transmissionselektronenmikroskopie (STEM) und Bestimmung der elementaren Zusammensetzung der Probe mit energiedispersiver Röntgenspektroskopie (EDX oder EDS). Mehrere Aufnahmen mit unterschiedlichen Vergrößerungen werden angefertigt, um einen guten Überblick über die Probe zu erhalten. Eine EDX-Elementkartierung, Linienanalyse oder Punktmessung wird durchgeführt, um die Probenzusammensetzung zu bestimmen (Elementverteilung in At.-% oder Gew.-%). Für feste Proben erfordert die Analyse häufig eine FIB-Präparation, die gesondert berechnet wird. HR-TEM kann ebenfalls durchgeführt werden. Kontaktieren Sie uns für weitere Details zu den Analyseoptionen.

Die Kombination aus Röntgendiffraktion mit streifendem Einfall (GI-XRD) und Röntgenreflektometrie (XRR) wird zur Bestimmung der folgenden Eigenschaften von Dünnschichtproben eingesetzt: XRR Dichte (g/cm3), Dicke (nm),, Rauheit (nm). GI-XRD Röntgendiffraktionsspektrum (XRD) und Phasenbestimmung, Kristallinität, Kristallitgröße, Gitterparameter und Verzerrung der Phase. HINWEIS: Diese Parameter werden bestimmt, wenn Proben hochkristallin sind. Die Bestimmung kann fehlschlagen, wenn die Kristallinität nicht ausreicht.. Hinweise zu geeigneten Proben XRR – Das Verfahren eignet sich zur Charakterisierung ein- oder mehrschichtiger Dünnfilme, da es Informationen über die Dicke und Dichte der einzelnen Schichten des Probenmaterials sowie über die Rauigkeit der Grenzflächen liefert. Die höchste Genauigkeit bei XRR-Dickenmessungen wird im Allgemeinen für Proben mit 1–150 nm dicken Oberflächenschichten und einer RMS-Rauheit von weniger als 5 nm erreicht. Dickere Schichten und Beschichtungen mit raueren Oberflächen können ebenfalls charakterisiert werden, jedoch nimmt die Genauigkeit der Dickenbestimmung ab, wenn Dicke und Rauheit der Schicht oder des Schichtstapels zunehmen. GI-XRD – Die Methode ist im Allgemeinen für Proben anwendbar, die sich auch für XRR eignen. Das einzige spezielle Kriterium ist die Kristallinität – die untersuchten Phasen müssen kristallin sein, um XRD-Daten zu liefern. Verfügbare Untersuchungen Standardmäßig werden die GI-XRD- und XRR-Messungen unter Umgebungsbedingungen durchgeführt, es können jedoch Temperaturen von 25 bis 1.100 °C eingesetzt und die Eigenschaften in Abhängigkeit von der Temperatur untersucht werden. Messungen können bei Bedarf auch unter Inertgas oder im Vakuum durchgeführt werden. Bitte kontaktieren Sie unsere Experten, wenn Sie XRR- und/oder GI-XRD-Messungen benötigen oder wenn Sie weitere Informationen zur Analytik oder zu geeigneten Proben wünschen.

In dieser Analyse wird der Oberflächenrauheitswert (RMS) der Probe mittels Rasterkraftmikroskopie (AFM) bestimmt, typischerweise unter Verwendung des Bruker Dimension Icon als Messgerät. Drei Messpunkte der Probe werden in eine Standardanalyse einbezogen. Der Messbereich beträgt 5 × 5 Mikrometer, sofern nichts anderes vereinbart wurde. Zusätzlich zum RMS-Wert werden ein 2D-Bild, ein 3D-Bild und Rohdaten im Prüfbericht enthalten sein.

Die Focused-Ion-Beam-(FIB-)Technik wird zur Präparation von Proben für die Elektronenmikroskopie eingesetzt. Sie ermöglicht ein sehr präzises Schneiden von Proben, um sie mittels TEM- oder REM-Bildgebung zu untersuchen. Gerne erstellen wir ein Angebot für die alleinige FIB-Präparation oder auch für FIB-TEM- oder FIB-REM-Analysen.

Röntgendiffraktion mit streifendem Einfall (GI-XRD) Messung für Dünnfilme und Oberflächenschichten. Die Messung liefert die folgenden Informationen: XRD-Spektrum und Phasenidentifizierung, Kristallinität, Kristallitgröße, Gitterparameter und Gitterverzerrung der Phase. HINWEIS: Diese Parameter werden bestimmt, wenn die Proben eine hohe Kristallinität aufweisen. Bei unzureichender Kristallinität ist ihre Bestimmung möglicherweise nicht möglich.. Für ein praktisches Beispiel, wie die Ergebnisse berichtet werden, siehe diesen Beispielprüfbericht: GI-XRD-Messung. Die besten GI-XRD-Ergebnisse werden in der Regel für Proben mit bis zu 300 nm dicken Oberflächenschichten und einer Rauheit von weniger als 10 nm RMS erzielt. Dickere Schichten und Beschichtungen mit stärker aufgerauten Oberflächen können ebenfalls charakterisiert werden, jedoch ist die Datenqualität bei rauen Proben im Allgemeinen geringer, und die Probeneigenschaften in Tiefen von mehr als 300 nm werden typischerweise nicht in den Ergebnissen abgebildet. Für die Durchführung der Messungen wird in der Regel eines der folgenden Instrumente verwendet: Rigaku SmartLab, Panalytical X'Pert Pro MPD, Bruker D8 Discover, Malvern Empyrean, GNR APD2000PRO. Standardmäßig wird das GI-XRD unter Umgebungsbedingungen durchgeführt, jedoch können Temperaturen von 25 bis 1100 °C eingesetzt werden, um die Kristallinität in Abhängigkeit von der Temperatur zu untersuchen. Die Messungen können bei Bedarf auch unter Inertgas oder im Vakuum durchgeführt werden. Bitte kontaktieren Sie unsere Fachleute, um die verfügbaren Kombinationen von Temperatur und Atmosphäre zu besprechen.

Beim XPS-Tiefenprofiling werden Ionenätzzyklen mit der Ionenkanone und XPS-Analysezyklen abwechselnd durchgeführt, um semi-quantitative Informationen über die elementare Zusammensetzung (At.-%) der Probe in Abhängigkeit von der Tiefe zu erhalten. Die Bindungszustände der Atome können auch in Abhängigkeit von der Tiefe analysiert werden, um die Chemie der Probe und deren Veränderungen mit der Tiefe zu bestimmen. Die XPS-Tiefenprofilierung ist eine zerstörende Technik mit einem Analysengebietsdurchmesser von 10 µm bis zu mehreren 100 µm. Das Sputtern erfolgt mit einem Ar-Cluster-GCIB-Ionenstrahl oder mit Ar-monoatomaren Ionen, und die XPS-Messungen werden typischerweise mit einem der folgenden Instrumente durchgeführt: PHI Genesis, Thermo Fisher ESCALAB 250Xi, PHI Quantum 2000.

Die Ellipsometrie ist ein optisches Verfahren zur Charakterisierung des von der Probenoberfläche reflektierten polarisierten Lichts. Damit lässt sich die Schichtdicke oder der Brechungsindex einer Schicht bestimmen. Zögern Sie nicht, unsere Fachleute für weitere Details zu kontaktieren.

XPS ist eine semi-quantitative Methode zur Bestimmung der elementaren Zusammensetzung von Materialoberflächen. Darüber hinaus kann sie auch den Bindungszustand der Atome ermitteln. XPS ist eine oberflächenempfindliche Methode. Die typische Probentiefe beträgt 3–9 nm, und die Nachweisgrenzen liegen ungefähr zwischen 0,1 und 1 Atom-%. XPS kann Elemente von Li bis U messen. Die Elementzusammensetzung wird in at.% angegeben und an einem Bereich von einigen hundert µm gemessen. Auf Anfrage können wir kleinere Flächen oder Tiefenprofile messen, und eine Bestimmung des Bindungszustands kann ebenfalls bereitgestellt werden. Messungen werden in der Regel mit einem der folgenden Instrumente durchgeführt: PHI Genesis, Thermo Fisher ESCALAB 250Xi, PHI Quantum 2000. Synchrotron-XPS ist ebenfalls verfügbar. Kontaktieren Sie uns für weitere Informationen und ein Angebot für Ihr Projekt.

Sekundärionen-Massenspektrometrie (SIMS) ist eine hochsensitive, elementanalytische Tiefenprofilierungsmethode, die für eine Vielzahl von Feststoffen eingesetzt werden kann, um das Vorhandensein von Verunreinigungen oder die Konzentration von Dotierstoffen zu bestimmen. Alle Elemente von Wasserstoff bis Uran können in Konzentrationen im Bereich von Parts per Billion (ppb) nachgewiesen werden. Unter Verwendung von Normen ermöglicht SIMS sowohl qualitative als auch quantitative Analysen. Tiefenprofilierungen können von 10 nm bis hin zu einigen µm Schichtdicke durchgeführt werden und müssen, abhängig von den analysierten Elementen, im elektronegativen oder elektropositiven Modus erfolgen. Zögern Sie nicht, unsere Fachperson für ein auf Ihr Analyseprojekt zugeschnittenes Angebot zu kontaktieren.

Totalreflexions-Röntgenfluoreszenz (TXRF)-Messung zur Bestimmung von elementaren Spurenverunreinigungen auf Waferoberflächen. 49–277 einzelne Spots werden gemessen, und die Elementkonzentrationen werden sowohl als visuelle Heatmaps auf der Waferoberfläche als auch als numerische Konzentrationen angegeben. Fast alle Elemente zwischen Natrium (Na) und Uran (U) können in die Liste der analysierten Elemente aufgenommen werden. In der Regel sind einige oder alle der folgenden Elemente enthalten: Al, Mg, Na, Ag, Ar, Ba, Ca, Cd, Ce, Cl, Co, Cr, Cs, Cu, Dy, Er, Eu, Fe, Gd, Hf, Ho, I, In, K, La, Lu, Mn, Nd, Ni, P, Pd, Pm, Pr, Rh, S, Sb, Sc, Sm, Sn, Tb, Te, Ti, Tm, V, Xe, Yb, Zn, Ac, As, At, Au, Bi, Br, Fr, Ga, Ge, Hg, Ir, Kr, Mo, Nb, Os, Pa, Pb, Po, Pt, Ra, Rb, Re, Rn, Ru, Se, Sr, Ta, Tc, Th, Tl, U, W, Y, Zr. Alle gängigen beschichteten und unbeschichteten Wafer (z. B. Si, SiC, GaAs, GaN, InP usw.) mit Durchmessern bis 300 mm (12 Zoll) sind für die Messung geeignet. Die Nachweisgrenzen variieren zwischen 109 bis 1012 at/cm2. Übergangsmetalle weisen im Vergleich zu Alkalimetallen und Erdalkalimetallen niedrigere Nachweisgrenzen auf. Die räumliche Auflösung liegt je nach Wafergröße und Anzahl der Messpunkte zwischen 5 und 15 mm. In der Regel wird das Rigaku TXRF 310Fab als Messgerät eingesetzt. Die Preise hängen von mehreren Faktoren ab, einschließlich der Anzahl der analysierten Spots und gemeinsam eingereichten Wafer. Bitte kontaktieren Sie uns für ein individuelles Angebot.

Zerstörungsfreie 3D-Analyse interner Strukturen mittels Röntgen-Computertomographie. Das Verfahren visualisiert Poren, Risse, Dichte- und Phasenunterschiede innerhalb fester Materialien. Die Analyse ist geeignet für pulverförmige Materialien, wie beispielsweise pharmazeutische und kosmetische Inhaltsstoffe, sowie für Schüttgüter und Bauteile, etwa Maschinenteile und Wafer. Die Voxelgröße kann bis auf 60 nm reduziert werden. Bitte kontaktieren Sie uns für weitere Informationen zu den Analyseoptionen für verschiedene Materialien und Materialabmessungen. Für die Analyse stehen unter anderem folgende Geräte zur Verfügung: Bruker SkyScan 1272 CMOS, Bruker SkyScan 2214 CMOS, Zeiss Xradia 515 Versa.

SAM ist ein zerstörungsfreies Analyseverfahren, das in der Fehleranalyse eingesetzt wird, um Informationen über die Integrität der Die-Attach-Verbindung, Delaminationen, Lunker/Poren, Risse sowie die Effektivität von Bondprozessen (einschließlich der Lötzuverlässigkeit) zu gewinnen. Darüber hinaus kann SAM die Qualität von Dichtungen, Beschichtungen, Flip‑Chip‑Underfills, Wafer‑zu‑Wafer‑Bonding und die Integrität von Lötbumps bewerten. Zusätzlich zur herkömmlichen C-SAM bieten wir die Möglichkeit der Analyse mit Gigahertz-SAM (GHz-SAM), das eine erhöhte Auflösung bietet. Maximale Scanfläche: 300 mm × 300 mm – 350 mm × 350 mm für konventionelles SAM, 100 µm – 1500 µm für GHz-SAM., Wandlerfrequenzen: 5 MHz – 1 GHz (unterschiedliche Geräte) mit einer theoretischen Auflösung von 100 µm bis ~1 µm.. Bitte beachten Sie, dass die maximale Eindringtiefe von den akustischen Eigenschaften Ihres spezifischen Materials und den Unterschieden der akustischen Impedanz zwischen den Materialschichten abhängt. Kontaktieren Sie unsere Experten über das untenstehende Formular, um ein Angebot für Ihr C-SAM-Analyseprojekt anzufordern.

Analyse mit hochauflösender Massenspektrometrie (HRMS) zur Bestimmung der exakten Molekülmassen verschiedener Verbindungen, von kleinen organischen Molekülen bis hin zu großen biologischen Makromolekülen. Die hohe Genauigkeit macht HRMS ideal für die Identifizierung molekularer Strukturen. Probenanforderungen: Es sollten Informationen zur Löslichkeit der Probe in üblichen Lösungsmitteln der Hochleistungs-Flüssigkeitschromatographie (HPLC) (z. B. H₂O, Methanol, Acetonitril) oder in anderen Lösungsmitteln bereitgestellt werden., 0,1 % Ameisensäure wird in diesem Test als Zusatzstoff verwendet. Es ist unbedingt erforderlich, die Stabilität der Probe in dieser Säure zu bestätigen., Es ist hilfreich, das erwartete Molekulargewicht der Analyte sowie die molekulare Struktur der Probe als ChemDraw-Datei bereitzustellen.. Messdetails: Scans können sowohl im positiven (+ve) als auch im negativen (−ve) Ionenmodus durchgeführt werden., Ein ACQUITY RDa-Detektor wird zur Detektion eingesetzt..

Nano-Kratztest von Dünnschichtproben. Die typische Messung umfasst ein Übersichtsbild der Kratzspur (Oberflächenschädigung) und die Bestimmung kritischer Lastwerte.

In dieser Analyse wird die Oberflächentopografie einer Probe mithilfe eines berührungslosen optischen Profilometers erfasst, um ihre Oberflächenrauheit, Verwölbung, Stufenhöhe, Oberflächendefekte sowie die Abmessungen von Oberflächenstrukturen (z. B. die Breite, Teilung usw. von Rillen oder Streifen) zu bestimmen. Messergebnisse können ein 3D‑Bild der Probenoberfläche, ein 2D‑Linienprofil mit Höhenvariationen sowie verschiedene Rauheitskennwerte der Oberfläche umfassen, wie z. B. Sq, Sa, Sp, Sv, Sz und weitere. Messungen können an mehreren Punkten der Probenoberfläche mit verschiedenen Scanbereichen durchgeführt werden. Bitte informieren Sie uns über die Eigenschaften und Abmessungen der Strukturen, die Sie untersuchen möchten, damit wir eine geeignete Scan-Größe auswählen können, z. B. ein Areal von 10 µm × 10 µm oder 50 µm × 50 µm oder einen Linienscan mit einer Länge von mehreren Millimetern. Rauheitsmessungen können gemäß den folgenden Normen durchgeführt werden: ISO 25178, ISO 4287, ISO 13565 und ASME B46.1

Während dieser Analyse wird die Oberfläche einer glatten und harten Probe mit einem Rasterkraftmikroskop (AFM) abgebildet. Topografische Bilder werden in der Regel von drei Positionen um die Probe herum aufgenommen. Der Messbereich beträgt 5 × 5 Mikrometer, sofern nichts anderes vereinbart wurde. Messungen werden typischerweise mit folgendem Instrument durchgeführt: Bruker Dimension Icon.

Analyse der Wärmeleitfähigkeit von Dünnschichtbeschichtungen mit Schichtdicken zwischen 10 nm und 1.000 nm, abgeschieden auf einem Si-Substrat. Die folgenden Messungen und Berechnungen sind im Leistungsumfang enthalten: Zeitbereichs-Thermoreflektometrie (Time Domain Thermoreflectance, TDTR) zur Bestimmung der thermischen Effusivität oder thermischen Diffusivität. Drei Messreihen werden an unterschiedlichen Positionen durchgeführt., Analytische Berechnung der Wärmeleitfähigkeit des Dünnfilms. Der Kunde sollte die Dichte, spezifische Wärmekapazität und Dicke des Schichtstapels angeben, da diese Parameter für die Durchführung der Berechnung erforderlich sind. Dichte und spezifische Wärmekapazitätswerte können auch der Literatur entnommen werden., Thermischer Übergangswiderstand kann ebenfalls im Rahmen der Dienstleistung bestimmt werden.. Bitte beachten Sie, dass nichtmetallische Beschichtungen für die Durchführung von TDTR-Messungen eine metallische Reflexions-/Wandlerbeschichtung (z. B. Mo, Al oder Pt mit einer Schichtdicke von ca. 100 nm) erfordern. Proben sollten nach Möglichkeit bereits mit dieser Beschichtung geliefert werden; falls dies nicht möglich ist, kann im Labor gegen Aufpreis eine Al-Beschichtung aufgebracht werden. Es sollte zudem eine Referenzprobe (z. B. D 263®T ECO Schott-Glas) mit derselben Wandlerbeschichtung bereitgestellt werden. Die Analyse wird mit einem Lichtheizungs-Thermoreflektanzsystem (PicoTR) mit Pikosekunden-Pulsen, einer zeitlichen Auflösung von 1 ps und einer Beobachtungsdauer von 50 ns durchgeführt. Temperatur (RT bis 500 °C), Atmosphäre (N2 oder Luft) sowie Messmodus (Frontheizung/Frontdetektion oder Rückseitenheizung/Frontdetektion) können an die Probe angepasst ausgewählt werden.

Diese Analyse, die gemäß der Norm IEC 60243-1 durchgeführt wird, bestimmt die Durchschlagfestigkeit fester Kunststoffe, indem eine flache Probenplatte einer schrittweise erhöhten Spannung zwischen zwei Elektroden ausgesetzt wird. Die Spannung, bei der der Kunststoff seine isolierenden Eigenschaften verliert, wird als Durchschlagspannung bezeichnet. Die Durchschlagfestigkeit wird ermittelt, indem die Durchschlagspannung durch die Probendicke dividiert wird, und typischerweise in Kilovolt pro Millimeter (kV/mm) angegeben. Die Proben werden vor der Prüfung 24 Stunden lang bei 23 °C und 50 % relativer Luftfeuchte vorkonditioniert und anschließend in einem umgebenden Medium aus thermostatisiertem Isolieröl geprüft, um Überschläge zu verhindern. Die typische Analyse bei Raumtemperatur umfasst fünf Prüfungen bei 23 °C. Die Durchschlagfestigkeit wird aus dem Median der Prüfergebnisse bestimmt. Werden einzelne Prüfergebnisse festgestellt, die um mehr als 15 % vom Median abweichen, werden fünf zusätzliche Prüfungen durchgeführt. Die Durchschlagfestigkeit wird dann aus dem Median der insgesamt 10 Ergebnisse bestimmt. Diese zusätzlichen Prüfungen haben keinen Einfluss auf den Preis der Analyse. Maximale Durchschlagsfestigkeit 50 kV/mm. Optionen für kryogene und Hochtemperatur-Analysen (bis zu 250 °C) sind ebenfalls verfügbar. Bitte kontaktieren Sie uns für ein auf Ihr Projekt zugeschnittenes Angebot. Bitte beachten Sie, dass wir auch andere Prüfungen zur Bewertung der elektrischen Eigenschaften von Kunststoffen anbieten, einschließlich Volumen- &Oberflächen-Widerstandsmessungen sowie die Bestimmung des vergleichenden Kriechstromindex (CTI).

Die optische Glimmentladungsspektroskopie (GD-OES) ist eine quantitative Methode zur Tiefenprofilanalyse der Elementzusammensetzung einer Probe. Die Methode wird hauptsächlich für die schnelle Tiefenprofilanalyse dicker Materialien eingesetzt und liefert deren Elementzusammensetzung in Form eines Tiefenprofils. Sie wird häufig zur Analyse anorganischer Materialien und Beschichtungen verwendet, etwa von Metall-, Glas- und Keramikschichten oder Mehrlagensystemen.

Dieser Test dient der Beurteilung der Fähigkeit eines Produkts oder einer Komponente, dynamischen Belastungen standzuhalten, ohne dass es bei zufälliger (Random-)Vibration zu einer unzulässigen Beeinträchtigung der funktionalen und/oder strukturellen Integrität kommt. Die Prüfung wird gemäß der Norm IEC 60068-2-64 durchgeführt. Der Test gilt für Prüflinge, die stochastischen Schwingungen ausgesetzt sein können, wie sie beispielsweise beim Transport oder in Betriebsumgebungen auftreten, etwa in Flugzeugen, Raumfahrzeugen und Landfahrzeugen. Beispielhafte Testbedingungen: Beschleunigung: 5,04 Grms, Dauer: 8 Std./Achse, 3 Achsen. Die Testbedingungen beeinflussen die Preisgestaltung. Bitte geben Sie diese daher bei der Angebotsanfrage detailliert an.

Bestimmung von Metallkonzentrationen auf Halbleitern (beschichteten oder unbeschichteten Wafern) mittels LA-ICP-MS. Das Standardanalysepaket umfasst die Quantifizierung der folgenden Elemente: Ca, Cr, Cu, Co, Er, Fe, Ge, Pb, Mn, Mo, Ni, K, Na, Sn, Ti, Ta, Zn, Bi, Au, Sn, V, Sr und Y. Wir bieten außerdem ein 70-Elemente-Paket an, in dem die folgenden Elemente quantifiziert werden: Ag, Al, As, Au, B, Ba, Be, Bi, Br, Ca, Cd, Ce, Co, Cr, Cs, Cu, Dy, Er, Eu, Fe, Ga, Gd, Ge, Hf, Hg, Ho, I, In, Ir, K, La, Li, Lu, Mg, Mn, Mo, Na, Nb, Nd, Ni, Os, P, Pb, Pd, Pr, Pt, Rb, Re, Rh, Ru, Sb, Sc, Se, Sm, Sn, Sr, Ta, Tb, Te, Th, Ti, Tl, Tm, U, V, W, Y, Yb, Zn und Zr. Die Werte werden in ppm (µg/g) angegeben. Die Analyse weiterer Elemente außerhalb dieser Pakete ist möglicherweise möglich. Kontaktieren Sie uns für Details.

Die Magnetometrie liefert Informationen über die magnetischen Eigenschaften des Probenmaterials in Abhängigkeit vom Magnetfeld. Bei der Messung wird ein Magnetometer mit vibrierender Probe (VSM, Vibrating Sample Magnetometer), auch als Foner-Magnetometer bezeichnet. Gemäß dem Faradayschen Induktionsgesetz erzeugt ein sich änderndes Magnetfeld ein elektrisches Feld, das gemessen werden kann, um Informationen über das Magnetfeld zu gewinnen. Die Magnetometrie eignet sich für Dünnschichten, Volumenmaterialien, Flüssigkeiten und Pulver. Zu den Eigenschaften, die mit VSM gemessen werden können, gehören das magnetische Moment, die Koerzitivfeldstärke und Hystereseschleifen. Tieftemperatur‑VSM können außerdem verwendet werden, um den Meissner-Effekt in supraleitenden Dünnschichten zu bestätigen, einschließlich solcher, die für Anwendungen im Bereich des Quantencomputings entwickelt wurden. Projekte werden fallweise kalkuliert; bei großen Probensätzen gelten niedrigere Preise pro Probe. Bitte kontaktieren Sie uns für ein Angebot.

Das Verfahren dient dazu, die Fähigkeit von Geräten und Baugruppen zu bestimmen, mäßig starken Stößen zu widerstehen. Die Prüfbedingungen simulieren reale Einsatzszenarien, in denen das Gerät plötzlichen, kräftigen Erschütterungen ausgesetzt sein kann. Dies ist eine zerstörende Prüfung zur Gerätequalifizierung, die gemäß JESD22-B110B durchgeführt wird. Beispielhafte Prüfbedingungen: Pulsform: Sägezahnkurve, Beschleunigung: 100 g, Dauer: 2 ms, Das Gerät wird entlang von drei Achsen geprüft und für jede geprüfte Achse jeweils einem Stoß in positiver und negativer Richtung ausgesetzt., Servicebedingung C.

Die Rutherford-Rückstreuspektrometrie (RBS) kann zur quantitativen Bestimmung der Zusammensetzung fester Proben sowohl an der Oberfläche als auch zur Tiefenprofilierung eingesetzt werden. RBS wird zur Analyse von schweren Elementen eingesetzt und kann mit ToF-ERDA kombiniert werden, wenn zusätzlich leichtere Elemente analysiert werden müssen. Elemente mit ähnlicher Masse können schwer voneinander zu unterscheiden sein.

Die Norm IEC 60068-2-6 legt ein Verfahren zur Beurteilung der Fähigkeit von Bauteilen, Geräten und anderen Produkten fest, festgelegten Schweregraden sinusförmiger Schwingungen zu widerstehen. Der Prüfprozess umfasst die Vorbereitung und Montage der Probe in einer ihrer realen Anwendungssituation entsprechenden Weise, die Einrichtung des Schwingprüfsystems, das in der Regel einen Schwingtisch umfasst, die Durchführung einer vordefinierten Prüfsequenz sowie die Überwachung des Schwingungsantwortverhaltens und des kritischen Verhaltens der Probe. Beispielhafte Testbedingungen: Beschleunigung: 5G (Spitze), Frequenz: 5 Hz bis 2.000 Hz, Messung über 3 Achsen, 10 Sweeps/Achse.

Die Partikelgrößenverteilung (PSD) wird aus Transmissionselektronenmikroskopie-(TEM)-Aufnahmen bestimmt. Das Verfahren eignet sich insbesondere für kleine Partikel mit einer Größe von 50 nm oder weniger. Je nach Partikelform umfasst die Methode die Berechnung der Durchmesser bzw. der Längen und Breiten der Partikel. Zusätzlich zur Größe liefert TEM qualitative Informationen über die Oberflächenmorphologie der Partikel. TEM ist eine gute Option für unregelmäßig geformte und nicht-sphärische Partikel wie Fasern, Stäbchen und Kristalle, die mit herkömmlichen Methoden, einschließlich Laserbeugung (LD) und Dynamische Lichtstreuung (DLS), nicht sinnvoll charakterisiert werden können. Als Ergebnis der Analyse werden TEM-Bilder sowie die ermittelte Partikelgrößenverteilung für den Durchmesser (oder die Länge und Breite) bereitgestellt. Trockene Proben sind für die TEM unmittelbar geeignet. Befinden sich die Partikel in feuchter Form oder sind sie in einem Lösungsmittel dispergiert, kann die Probe vor der Bildgebung mithilfe einer geeigneten Probenpräparationsmethode getrocknet werden.

Die Gruppenlaufzeit-Dispersion (GDD) und die Gruppengeschwindigkeits-Dispersion (GVD) sind entscheidende Parameter für das Verständnis, wie sich Ausbreitungszeit und -geschwindigkeit von Lichtimpulsen in Abhängigkeit von Frequenz oder Wellenlänge verändern, wenn sie sich durch übertragende Medien wie Glasoptiken ausbreiten oder innerhalb der Schichten von Dünnfilmbeschichtungen interagieren. Gruppenlaufzeit bezeichnet die Zeitverzögerung, die Licht unterschiedlicher Frequenzen erfährt, während Gruppen­geschwindigkeit die Geschwindigkeit ist, mit der die Hüllkurve eines Pulses sich durch ein Medium ausbreitet. GDD und GVD beschreiben die Rate, mit der sich Gruppenlaufzeit bzw. Gruppengeschwindigkeit in Abhängigkeit von der Frequenz oder Wellenlänge des Lichts ändern. GDD und GVD werden in Zeiteinheiten zum Quadrat angegeben, typischerweise in Femtosekunden zum Quadrat (fs2). Beide können mit einem Weißlichtinterferometer gemessen werden. Die Messbedingungen, unter denen wir die Analyse durchführen können, sind nachfolgend aufgeführt. Für eine 1"-Probe Reflexionsoptik-AOI: 0° und 5–70°, Transmissions-AOI: 0–70°. Für eine 2"-Probe Reflexionsoptik-AOI: 5–70° (0° möglicherweise möglich, bitte mit einem Experten besprechen), Transmissions-AOI: 0–70°. Spektralbereich: 400–1060 nm (VIS/NIR-Basisversion), 250–1060 nm (UV/VIS/NIR-Version), 900–2400 nm (IR-Version). Für die Durchführung der Prüfung sollten die folgenden Messdetails und Probeninformationen vorliegen: Probematrix: Substrate, Beschichtungen usw., Reflexions-/Transmissions-Einfallswinkel: Reflexions-Einfallswinkel (AOI) von 45°, Transmissions-Einfallswinkel (AOI) von 45° usw., Polarisation: p, s, k. A., Arbeitswellenlängenbereich, Messpunkte: Wie viele und wo in der Probe?, Erwartete GDD/GVD.

Die Heißtischmikroskopie (HSM) ermöglicht die direkte Visualisierung von Materialien unter kontrollierten Temperaturbedingungen. Folgende Prüfungen sind möglich: Untersuchung der Morphologie von Verbindungen und der Partikeleigenschaften., Beobachtung von Festkörper-Festkörper-Umwandlungen, Schmelzen/Verflüssigung, Erstarren, Sublimation und Verdampfung., Überwachung der Wechselwirkungen, Löslichkeit und Reaktionen verschiedener Verbindungen miteinander., Verfolgung des Kristallwachstums und der Wachstumsraten., Einsatz der Kofler-Mischschmelzmethode für das Screening von Salzen/Kokristallen., Beobachtung von Oxidations- und anderen chemischen Reaktionen, wie sie unter Wärmeeinwirkung ablaufen.. Die Ergebnisse enthalten Mikroskopaufnahmen und Videos, die die Veränderungen während des Erhitzens zeigen. Messspezifikationen: Temperaturbereich: 25 °C bis 375 °C, Feuchtigkeitsregelung: 5–90 % rF. Instrumentendetails: Der Geräteaufbau umfasst eine Heizbühne (Heiztisch) mit einer Probenhalterung, gekoppelt mit einem Polarisationsmikroskop und einem System, das Temperaturmessungen sowie Video‑ und Bildaufnahmen ermöglicht.

Die Prüfungen werden gemäß den Normen IEC 60068-2-1 (Kälte) bzw. IEC 60068-2-2 (Wärme) durchgeführt, die Verfahren zur Bewertung der Beständigkeit von Komponenten, Geräten oder Produkten gegenüber Kälte- und Trockenwärmeumgebungen festlegen. Der Geltungsbereich dieser Normen ist auf statische Temperaturbedingungen während Lagerung, Transport oder Verwendung beschränkt. Zur Beurteilung der Reaktion eines Produkts auf Temperaturänderungen ist die Norm IEC 60068-2-14 anzuwenden. Beispielhafte Prüfbedingungen: Temperatur = -40 °C oder +45 °C, Zeit = 400 Minuten.

Wir bieten verschiedene Prüfdienstleistungen für Reinstwasser an. Die Preise hängen von den ausgewählten Parametern und der Anzahl der Proben ab. Bitte kontaktieren Sie Measurlabs, um ein Angebot zu erhalten. Bitte beachten Sie, dass wir geeignete Versandbehälter entsprechend den beauftragten Analysen bereitstellen. Spurenelemente mittels ICP-MS Für die Bestimmung von elementaren Verunreinigungen bieten wir ein Basispaket mit 36 Elementen sowie ein erweitertes Paket mit 67 Elementen an. Das Basispaket umfasst die folgenden 36 Elemente: Li, Be, B, Na, Mg, Al, K, Ca, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, As, Sr, Zr, Nb, Mo, Ag, Cd, Sn, Sb, Ba, Ta, W, Pt, Au, Tl, Pb und Bi. Die erweiterte Analyse umfasst die folgenden Elemente zusätzlich zum Basispaket: Ce, Cs, Dy, Er, Eu, Gd, Hf, Ho, In, Ir, La, Lu, Hg, Nd, Os, Pd, Pr, Re, Rh, Rb, Ru, Sm, Sc, Se, Te, Tb, Th, Tm, U, Yb und Y. Die Bestimmungsgrenzen hängen vom jeweiligen Element und der spezifischen Probenmatrix ab, liegen jedoch typischerweise zwischen 0,001 ppb und 0,6 ppb. Für diese Analyse müssen die Proben in Teflonbehältern angeliefert werden. Härte Der Härtewert kann auf Grundlage der ICP-MS-Ergebnisse berechnet werden. Silizium und Siliziumdioxid (Si, SiO2) Unser Servicekatalog umfasst die Bestimmung von Gesamt‑, gelöstem und kolloidalem Siliziumdioxid (SiO2). Gesamtsilizium wird mit der ICP-OES-Technik analysiert, gelöstes Silizium mittels UV-VIS (Molybdän-Heteropolyblau-Methode). Kolloidales Siliziumdioxid wird als Differenz zwischen Gesamt- und gelöstem Siliziumdioxid berechnet. Gesamter organischer und anorganischer Kohlenstoff (TOC und TIC) Wir bieten TOC-Bestimmungen für Reinstwasserproben mit einer Quantifizierungsgrenze von 5 ppb an. Für diese Analyse müssen die Proben in zertifizierten 40-ml-TOC-Vials angeliefert werden. Die Bestimmung des gesamten anorganischen Kohlenstoffs (TIC) kann ebenfalls mit einem TOC-Analysator durchgeführt werden. Anionen mittels Ionenchromatographie (IC) Für Anionen bieten wir ein Basispaket sowie ein separates Paket für organische Anionen an. Das Basispaket umfasst die folgenden Anionen: Bromid (Br⁻), Chlorid (Cl⁻), Fluorid (F⁻), Nitrat (NO₃⁻), Nitrit (NO₂⁻), Phosphat (PO₄³⁻) und Sulfat (SO₄²⁻). Die Analyse organischer Anionen umfasst: Acetat, Formiat, Glykolat, Propionat und Butyrat. Die Bestimmungsgrenzen sind abhängig vom Anion und der Probenmatrix, liegen für einfache Anionen jedoch typischerweise zwischen 0,02 und 1 ppb und betragen für organische Anionen etwa 25 ppb. Für diese Analyse müssen die Proben in HDPE-Flaschen geliefert werden. Kationen mittels Ionenchromatographie (IC) Das Analysenpaket für Kationen umfasst die Bestimmung der folgenden Kationen: Ammonium (NH4+), Calcium (Ca2+), Lithium (Li+), Magnesium (Mg2+), Kalium (K+) und Natrium (Na+). Bestimmungsgrenzen liegen typischerweise zwischen 2 ppb und 5 ppb. Proben müssen in HDPE-Flaschen angeliefert werden. PFAS-Verbindungen (24 Verbindungen) Die Analyse umfasst PFOS, PFOA, PFNA, PFHxS und 20 weitere ausgewählte PFAS-Verbindungen. Die vollständige Liste der Verbindungen kann auf Anfrage bereitgestellt werden. Die Bestimmungsgrenze beträgt in der Regel 1 ng/L. Die Probe muss in einer kunststoffbasierten, PFAS-freien Flasche, vorzugsweise aus HDPE, angeliefert werden.

Supraleitende Materialien leiten elektrischen Strom ohne elektrischen Widerstand und ermöglichen eine stabile magnetische Levitation, wenn sie unter ihre kritische Temperatur gekühlt werden. Mit Zugang zu Hochfeldanlagen (resistive Magnete bis zu 37 T) bieten wir mehrere Messverfahren zur Bestätigung der Supraleitung von Materialien unter extremen Temperatur-, Magnetfeld- und Druckbedingungen an, darunter: Kritische Stromdichte bei 4,2 K in Magnetfeldern bis 15 T, Magnetisierung von 2–300 K in Feldern bis zu 9 T, Kritische Temperatur (Tc) durch Transport oder Magnetisierung, Thermische Ausdehnung von 4,2–300 K, Thermische Leitfähigkeit und spezifische Wärmekapazität von 2–300 K, Kritischer Strom in Abhängigkeit von der Dehnung bei 77 K, Zugfestigkeitsprüfung bei 4,2 oder 77 K mit Kräften bis 500 kN, Ermüdungsprüfung bei 4,2 oder 77 K, Bruchzähigkeit bei 4,2 oder 77 K. Diese Messungen unterstützen die funktionelle Charakterisierung von Materialien wie Hochtemperatur-Supraleiter-(HTS-)Drähten, -Bändern und -Spulen, supraleitenden Dünnfilmen, Tieftemperatur-Supraleiterkabeln und Leitern sowie Komponenten für supraleitende Magnete. Bitte kontaktieren Sie uns für weitere Informationen und ein Angebot.

Die Augerelektronenspektroskopie (AES) ist eine oberflächensensitive Methode (3–9 nm) zur Zusammensetzungsanalyse und Tiefenprofilierung und liefert Daten über die elementare Zusammensetzung in der Tiefe. Zusätzlich können Sekundärelektronenbilder bereitgestellt werden. AES ist eine sehr nützliche Methode zur Untersuchung von Strukturen, da sie einen Strahldurchmesser bis hinunter zu wenigen Nanometern ermöglicht.

REM-Aufnahmen bei Kryo-Bedingungen mit EDX-Elementkartierung für fragile Proben, die eine kryogene Präparation erfordern, um das REM-Vakuum und den Elektronenstrahl auszuhalten. Die Analyse umfasst die folgenden Schritte: Kryofixierung der Probe., Bildgebung der Probenoberfläche mit einem Rasterelektronenmikroskop., EDX-Map für die Elementzusammensetzung.. Die Ergebnisse umfassen 10–20 REM-Aufnahmen mit Anmerkungen zu den beobachteten Merkmalen. Zusätzlich werden, abhängig von der Vergrößerung, 1–2 EDX-Elementverteilungsbilder bereitgestellt.

Die automatisierte Thermodesorption-Gaschromatographie-Massenspektrometrie (ATD-GC-MS) ist eine hochsensitive Methode zur Analyse organischer Verunreinigungen auf Waferoberflächen, die niedrige Nachweisgrenzen und ein breites Spektrum an Analysemöglichkeiten für organische Kontaminanten bietet. Die Analyse kann gemäß der Norm SEMI MF 1982-1103 durchgeführt werden.