Halbleiter-Testdienstleistungen

Time-of-Flight Elastic Recoil Detection Analysis (ToF‑ERDA)-Messung zur Bestimmung der Elementkonzentrationen in Dünnschichten. Die ToF-ERDA ist in der Lage, alle Elemente zu identifizieren, einschließlich verschiedener Wasserstoffisotope. Sie liefert elementare Tiefenprofile, indem sie die Konzentration jedes Elements in unterschiedlichen Tiefen innerhalb einer Probe bestimmt. In der Regel erreicht die Methode Nachweisgrenzen im Bereich von 0,1 bis 0,5 Atomprozent und eine Tiefenauflösung zwischen 5 und 20 nm. Sie ist geeignet für die Analyse von Schichten mit Dicken zwischen 20 und 500 nm. Für präzise Messungen sollte die Probenoberfläche glatt sein und eine Rauheit von weniger als 10 nm aufweisen. Die Methode ist bei der Analyse von Dünnschichten auf typischen Substraten wie Silizium (Si), Galliumnitrid (GaN), Siliziumkarbid (SiC), Galliumarsenid (GaAs) oder Indiumphosphid (InP) von Natur aus quantitativ. Daher sind Referenzproben zur Gewinnung quantitativer Ergebnisse nicht erforderlich. Die Technik ist insbesondere bei der Analyse leichter Elemente aufgrund ihrer guten Nachweisgrenzen von großem Nutzen. Zusätzlich zu herkömmlichen ToF-ERDA-Messungen bieten wir auch LI-ERDA (auch als Foil-ERDA bezeichnet) zur präziseren Bestimmung von Wasserstoffisotopen an. Die Nachweisgrenzen mit LI-ERDA liegen typischerweise bei etwa 0,01 Atomprozent, und Tiefenauflösungen von ~1 nm können erreicht werden. Mit LI-ERDA können ausschließlich Wasserstoffisotope nachgewiesen werden. Wie die Ergebnisse berichtet werden, erfahren Sie in diesem Beispielbericht: ToF-ERDA-Messung.

Sekundärionen-Massenspektrometrie (SIMS) ist eine hochsensitive, elementanalytische Tiefenprofilierungsmethode, die für eine Vielzahl von Feststoffen eingesetzt werden kann, um das Vorhandensein von Verunreinigungen oder die Konzentration von Dotierstoffen zu bestimmen. Alle Elemente von Wasserstoff bis Uran können in Konzentrationen im Bereich von Parts per Billion (ppb) nachgewiesen werden. Unter Verwendung von Normen ermöglicht SIMS sowohl qualitative als auch quantitative Analysen. Tiefenprofilierungen können von 10 nm bis hin zu einigen µm Schichtdicke durchgeführt werden und müssen, abhängig von den analysierten Elementen, im elektronegativen oder elektropositiven Modus erfolgen. Zögern Sie nicht, unsere Fachperson für ein auf Ihr Analyseprojekt zugeschnittenes Angebot zu kontaktieren.

Die optische Glimmentladungsspektroskopie (GD-OES) ist eine quantitative Methode zur Tiefenprofilanalyse der Elementzusammensetzung einer Probe. Die Methode wird hauptsächlich für die schnelle Tiefenprofilanalyse dicker Materialien eingesetzt und liefert deren Elementzusammensetzung in Form eines Tiefenprofils. Sie wird häufig zur Analyse anorganischer Materialien und Beschichtungen verwendet, etwa von Metall-, Glas- und Keramikschichten oder Mehrlagensystemen.

VPD-ICP-MS ermöglicht die Bestimmung von Verunreinigungen durch Spurenmetalle auf der Oberfläche von Wafern. Während der Analyse wird die gesamte Waferoberfläche gescannt, sofern nicht eine Randzone (2 mm, 5 mm usw.) ausgeschlossen werden soll. VPD-ICP-MS wird durchgeführt, indem mithilfe einer Säure die oberste Schicht des Wafers aufgelöst wird, bevor die Elementkonzentrationen mittels ICP-MS bestimmt werden. Bitte beachten Sie, dass leichtere Elemente wie H, C, N, O und F nicht analysiert werden können. Wir bieten verschiedene Analysenpakete für ein breites Spektrum an Elementen an: 58-Element-Analyse: Al, As, B, Ba, Be, Bi, Ca, Cd, Ce, Co, Cr, Cs, Cu, Dy, Er, Eu, Fe, Ga, Gd, Ge, Hf, Hg, Ho, In, K, La, Li, Lu, Mg, Mn, Mo, Na, Nb, Nd, Ni, Pb, Pr, Rb, Sb, Sc, Se, Sm, Sn, Sr, Ta, Tb, Te, Th, Ti, Tl, Tm, U, V, W, Y, Yb, Zn, Zr, Analyse von 41 Elementen: Al, As, B, Ba, Be, Bi, Ca, Cd, Co, Cr, Cs, Cu, Ga, Ge, Fe, Hf, Ir, K, Li, Mg, Mn, Mo, Na, Nb, Ni, Pb, Re, Sb, Sn, Sr, Ta, Te, Th, Ti, Tl, U, W, V, Y, Zn, Zr, 30-Element-Analyse: Al, As, B, Ba, Be, Bi, Ca, Cd, Co, Cr, Cu, Ga, Ge, Fe, K, Li, Mg, Mn, Mo, Na, Ni, Pb, Sb, Sn, Sr, Ti, W, V, Zn, Zr, Individuelles 30-Elemente-Paket: Sie wählen beliebige 30 Elemente aus unserer vollständigen Liste von 58 Elementen aus., Zusätzliche Edelmetalle: Fügen Sie die Analyse von Edelmetallen zu jedem Paket aus den unten aufgeführten Optionen hinzu: Ag, Au, Pd, Pt, Rh, Ru, Ag, Au, Pt, Pd.. Zusätzliche Elemente sind auf Anfrage verfügbar, Die Nachweisgrenzen liegen im ppm–ppb-Bereich (106–1010 Atome/cm2), Weitere Details finden Sie in diesem Beispielbericht: VPD ICP-MS analysis.. Diese Messung ist in erster Linie für 100-, 150-, 200- und 300-mm-Siliziumwafer ohne Beschichtung vorgesehen, wir bieten jedoch auch ICP-MS-Analysen für andere Wafergrößen und Dünnschichten bis zu einigen µm Dicke an. Zu den am häufigsten verwendeten Instrumenten gehören unter anderem: Perkin-Elmer NexION 350S ICP-MS, Perkin-Elmer Sciex ELAN 6100 DRC II ICP-MS, Thermo Fisher iCAP TQe ICP-MS, Finnigan ELEMENT2 ICP-MS. Ein Express-Service (1–3 Werktage) kann auf Anfrage gegen Aufpreis vereinbart werden. Kontaktieren Sie uns für weitere Informationen und zur Anforderung eines Angebots.