Dünnschicht- und Waferanalyse

VPD-ICP-MS ermöglicht die Bestimmung von Verunreinigungen durch Spurenmetalle auf der Oberfläche von Wafern. Während der Analyse wird die gesamte Waferoberfläche gescannt, sofern nicht eine Randzone (2 mm, 5 mm usw.) ausgeschlossen werden soll. VPD-ICP-MS wird durchgeführt, indem mit Säure die oberste Schicht des Wafers aufgelöst wird, bevor die Bestimmung der Elementkonzentrationen mittels ICP-MS erfolgt. Bitte beachten Sie, dass leichtere Elemente wie H, C, N, O und F nicht analysiert werden können. Wir bieten verschiedene Analysenpakete für ein breites Spektrum an Elementen an: 58-Element-Analyse: Al, As, B, Ba, Be, Bi, Ca, Cd, Ce, Co, Cr, Cs, Cu, Dy, Er, Eu, Fe, Ga, Gd, Ge, Hf, Hg, Ho, In, K, La, Li, Lu, Mg, Mn, Mo, Na, Nb, Nd, Ni, Pb, Pr, Rb, Sb, Sc, Se, Sm, Sn, Sr, Ta, Tb, Te, Th, Ti, Tl, Tm, U, V, W, Y, Yb, Zn, Zr, 41-Element-Analyse: Al, As, B, Ba, Be, Bi, Ca, Cd, Co, Cr, Cs, Cu, Ga, Ge, Fe, Hf, Ir, K, Li, Mg, Mn, Mo, Na, Nb, Ni, Pb, Re, Sb, Sn, Sr, Ta, Te, Th, Ti, Tl, U, W, V, Y, Zn, Zr, 30-Element-Analyse: Al, As, B, Ba, Be, Bi, Ca, Cd, Co, Cr, Cu, Ga, Ge, Fe, K, Li, Mg, Mn, Mo, Na, Ni, Pb, Sb, Sn, Sr, Ti, W, V, Zn, Zr, Individuelles 30-Element-Paket: Sie wählen beliebige 30 Elemente aus unserer vollständigen 58-Element-Liste aus., Zusätzliche Edelmetalle: Ergänzen Sie die Analyse von Edelmetallen zu jedem Paket aus den unten aufgeführten Optionen: Ag, Au, Pd, Pt, Rh, Ru, Ag, Au, Pt, Pd.. Zusätzliche Elemente sind auf Anfrage verfügbar, Nachweisgrenzen liegen im ppm–ppb-Bereich (106–1010 at/cm2), Weitere Details finden Sie in diesem Beispielbericht: VPD ICP-MS analysis.. Diese Messung ist in erster Linie für 100-, 150-, 200- und 300-mm-Siliziumwafer ohne Beschichtung vorgesehen, wir bieten jedoch auch ICP-MS-Analysen für andere Wafergrößen und Dünnschichten bis zu einigen µm Dicke an. Zu den am häufigsten verwendeten Instrumenten gehören unter anderem: Perkin-Elmer NexION 350S ICP-MS, Perkin-Elmer Sciex ELAN 6100 DRC II ICP-MS, Thermo Fisher iCAP TQe ICP-MS, Finnigan ELEMENT2 ICP-MS. Eine Express-Bearbeitung (2 oder 3 Arbeitstage) kann auf Anfrage gegen einen Aufpreis vereinbart werden. Kontaktieren Sie uns für weitere Informationen und zur Anforderung eines Angebots.

Time-of-Flight Elastic Recoil Detection Analysis (ToF‑ERDA)-Messung zur Bestimmung der Elementkonzentrationen in Dünnschichten. Die ToF-ERDA ist in der Lage, alle Elemente zu identifizieren, einschließlich verschiedener Wasserstoffisotope. Sie liefert elementare Tiefenprofile, indem sie die Konzentration jedes Elements in unterschiedlichen Tiefen innerhalb einer Probe bestimmt. In der Regel erreicht die Methode Nachweisgrenzen im Bereich von 0,1 bis 0,5 Atomprozent und eine Tiefenauflösung zwischen 5 und 20 nm. Sie ist geeignet für die Analyse von Schichten mit Dicken zwischen 20 und 500 nm. Für präzise Messungen sollte die Probenoberfläche glatt sein und eine Rauheit von weniger als 10 nm aufweisen. Die Methode ist bei der Analyse von Dünnschichten auf typischen Substraten wie Silizium (Si), Galliumnitrid (GaN), Siliziumkarbid (SiC), Galliumarsenid (GaAs) oder Indiumphosphid (InP) von Natur aus quantitativ. Daher sind Referenzproben zur Gewinnung quantitativer Ergebnisse nicht erforderlich. Die Technik ist insbesondere bei der Analyse leichter Elemente aufgrund ihrer guten Nachweisgrenzen von großem Nutzen. Zusätzlich zu herkömmlichen ToF-ERDA-Messungen bieten wir auch LI-ERDA (auch als Foil-ERDA bezeichnet) zur präziseren Bestimmung von Wasserstoffisotopen an. Die Nachweisgrenzen mit LI-ERDA liegen typischerweise bei etwa 0,01 Atomprozent, und Tiefenauflösungen von ~1 nm können erreicht werden. Mit LI-ERDA können ausschließlich Wasserstoffisotope nachgewiesen werden. Wie die Ergebnisse berichtet werden, erfahren Sie in diesem Beispielbericht: ToF-ERDA-Messung.

Die Flugzeit-Sekundärionen-Massenspektrometrie (ToF-SIMS) ist eine hochsensitive analytische Technik, die für die elementare und molekulare Analyse sowie für die elementare Abbildung von Festproben eingesetzt wird. Die Methode wird hauptsächlich für die detaillierte Oberflächenanalyse fester Materialien organischer, anorganischer, polymerer oder biologischer Natur verwendet. Sie kann auch als Tiefenprofilierungsmethode mit zwei Ionenstrahlen verwendet werden, um Verunreinigungen oder Dotierstoffe zu überprüfen. Alle Elemente von Wasserstoff bis Uran können in Konzentrationen im Bereich von Teilen pro Milliarde (ppb) nachgewiesen werden. Im Vergleich zur SIMS liefert ToF-SIMS jedoch nur qualitative Ergebnisse.

Sekundärionen-Massenspektrometrie (SIMS) ist eine hochsensitive, elementanalytische Tiefenprofilierungsmethode, die für eine Vielzahl von Feststoffen eingesetzt werden kann, um das Vorhandensein von Verunreinigungen oder die Konzentration von Dotierstoffen zu bestimmen. Alle Elemente von Wasserstoff bis Uran können in Konzentrationen im Bereich von Parts per Billion (ppb) nachgewiesen werden. Unter Verwendung von Normen ermöglicht SIMS sowohl qualitative als auch quantitative Analysen. Tiefenprofilierungen können von 10 nm bis hin zu einigen µm Schichtdicke durchgeführt werden und müssen, abhängig von den analysierten Elementen, im elektronegativen oder elektropositiven Modus erfolgen. Zögern Sie nicht, unsere Fachperson für ein auf Ihr Analyseprojekt zugeschnittenes Angebot zu kontaktieren.

Totalreflexions-Röntgenfluoreszenz (TXRF)-Messung zur Bestimmung von elementaren Spurenverunreinigungen auf Waferoberflächen. 49–277 einzelne Spots werden gemessen, und die Elementkonzentrationen werden sowohl als visuelle Heatmaps auf der Waferoberfläche als auch als numerische Konzentrationen angegeben. Fast alle Elemente zwischen Natrium (Na) und Uran (U) können in die Liste der analysierten Elemente aufgenommen werden. In der Regel sind einige oder alle der folgenden Elemente enthalten: Al, Mg, Na, Ag, Ar, Ba, Ca, Cd, Ce, Cl, Co, Cr, Cs, Cu, Dy, Er, Eu, Fe, Gd, Hf, Ho, I, In, K, La, Lu, Mn, Nd, Ni, P, Pd, Pm, Pr, Rh, S, Sb, Sc, Sm, Sn, Tb, Te, Ti, Tm, V, Xe, Yb, Zn, Ac, As, At, Au, Bi, Br, Fr, Ga, Ge, Hg, Ir, Kr, Mo, Nb, Os, Pa, Pb, Po, Pt, Ra, Rb, Re, Rn, Ru, Se, Sr, Ta, Tc, Th, Tl, U, W, Y, Zr. Alle gängigen beschichteten und unbeschichteten Wafer (z. B. Si, SiC, GaAs, GaN, InP usw.) mit Durchmessern bis 300 mm (12 Zoll) sind für die Messung geeignet. Die Nachweisgrenzen variieren zwischen 109 bis 1012 at/cm2. Übergangsmetalle weisen im Vergleich zu Alkalimetallen und Erdalkalimetallen niedrigere Nachweisgrenzen auf. Die räumliche Auflösung liegt je nach Wafergröße und Anzahl der Messpunkte zwischen 5 und 15 mm. In der Regel wird das Rigaku TXRF 310Fab als Messgerät eingesetzt. Die Preise hängen von mehreren Faktoren ab, einschließlich der Anzahl der analysierten Spots und gemeinsam eingereichten Wafer. Bitte kontaktieren Sie uns für ein individuelles Angebot.

XPS ist eine semi-quantitative Methode zur Bestimmung der elementaren Zusammensetzung von Materialoberflächen. Darüber hinaus kann sie auch den Bindungszustand der Atome ermitteln. XPS ist eine oberflächenempfindliche Methode. Die typische Probentiefe beträgt 3–9 nm, und die Nachweisgrenzen liegen ungefähr zwischen 0,1 und 1 Atom-%. XPS kann Elemente von Li bis U messen. Die Elementzusammensetzung wird in at.% angegeben und an einem Bereich von einigen hundert µm gemessen. Auf Anfrage können wir kleinere Flächen oder Tiefenprofile messen, und eine Bestimmung des Bindungszustands kann ebenfalls bereitgestellt werden. Messungen werden in der Regel mit einem der folgenden Instrumente durchgeführt: PHI Genesis, Thermo Fisher ESCALAB 250Xi, PHI Quantum 2000. Synchrotron-XPS ist ebenfalls verfügbar. Kontaktieren Sie uns für weitere Informationen und ein Angebot für Ihr Projekt.