Katherine Gallegos Rosas

In dieser Analyse wird der Oberflächenrauheitswert (RMS) der Probe mittels Rasterkraftmikroskopie (AFM) bestimmt, typischerweise unter Verwendung des Bruker Dimension Icon als Messgerät. Drei Messpunkte der Probe werden in eine Standardanalyse einbezogen. Der Messbereich beträgt 5 × 5 Mikrometer, sofern nichts anderes vereinbart wurde. Zusätzlich zum RMS-Wert werden ein 2D-Bild, ein 3D-Bild und Rohdaten im Prüfbericht enthalten sein.

Während dieser Analyse wird die Oberfläche einer glatten und harten Probe mit einem Rasterkraftmikroskop (AFM) abgebildet. Topografische Bilder werden in der Regel von drei Positionen um die Probe herum aufgenommen. Der Messbereich beträgt 5 × 5 Mikrometer, sofern nichts anderes vereinbart wurde. Messungen werden typischerweise mit folgendem Instrument durchgeführt: Bruker Dimension Icon.

Wirbelstromprüfung ist ein schnelles, zerstörungsfreies Prüfverfahren zur Bestimmung von Eigenschaften wie Flächenwiderstand, spezifischem Widerstand und Leitfähigkeit. Sie stellt eine Alternative zur herkömmlichen 4-Punkt-Sonden-Methode dar und bietet eine hohe Genauigkeit ohne den Einfluss von Kontaktwiderständen. Ein Wechselstrom, der durch die Spulen der Prüfsonde fließt, erzeugt ein primäres Magnetfeld. Wenn diese Sonde in die Nähe eines leitfähigen Materials gebracht wird, werden im Material zirkulierende elektrische Ströme induziert, sogenannte Wirbelströme. Die induzierten Wirbelströme erzeugen ein entgegengesetztes sekundäres Magnetfeld, das die elektrische Impedanz der Spule verändert. Diese Änderung der elektrischen Impedanz wird vom Gerät erfasst und in einen Leitfähigkeitswert umgewandelt. Mit der Wirbelstromtechnik sind sowohl Einzelpunktmessungen als auch hochauflösendes Mapping über einen Wafer möglich. Verwenden Sie das folgende Formular, um unsere Experten nach weiteren Informationen oder einem Angebot für Ihr Projekt zu fragen.

Die elektrochemische Kapazitäts-Spannungs(ECV)-Profilierung ist eine destruktive Charakterisierungsmethode zur Messung von Dotierungsprofilen in Halbleiter-Heterostrukturen. Durch das Inkontaktbringen eines flüssigen Elektrolyten mit der Halbleiterprobe wird ein Übergang erzeugt, der einer Schottky-Barriere analog ist. Dieser Übergang bildet eine Verarmungszone, d. h. einen Bereich, der frei von Löchern und Elektronen, jedoch mit ionisierten Ladungen sowie elektrisch aktiven Defekten oder Fangzentren besetzt ist. Die Verarmungszone wirkt als Dielektrikum mit spannungsabhängiger Kapazität. Durch Durchführung von Kapazitäts-Spannungs-Messungen kann die Ladungsträgerkonzentration berechnet werden. Das Tiefenprofil wird durch elektrolytisches Ätzen des Halbleiters ermittelt. Eine typische Messung umfasst ein 2 µm Tiefenprofil. Weitere Tiefen im Bereich von 0,05 µm bis 50 µm können auf Anfrage analysiert werden.